闵嘉华
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桑文斌
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刘洪涛
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钱永彪
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滕建勇
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樊建荣
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李万万
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张斌
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金玮
稀有金属材料与工程
对电阻率为103～6Ω·cm的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片在Te气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为108～9Ω·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理.结果表明,In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级.非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型,在热处理温度700℃,In分压6.1×10-4 Pa,退火时间达48 h后,电阻率可以提高到2.6×109Ω·cm.
关键词:
CdZnTe热处理
,
Cd/Zn平衡分压
,
In扩散
