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MOCVD法制备Ir/C簇膜的成分与结构研究

戴姣燕 , 胡昌义 , 万吉高 , 方颖 , 欧阳远良 , 高文桂 , 刘伟平 , 杨家明

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2006.01.005

以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在石英片上沉积了Ir/C簇膜.研究了氧气流量及沉积温度对Ir/C簇膜成分和结构的影响.研究发现,少量氧气的加入(4mL/min)大幅度地降低了Ir/C簇膜中碳元素的含量;沉积温度对薄膜中碳含量的影响规律则比较复杂:未通氧气的情况下,在实验温度范围内碳含量随着温度的升高而增大,而在通入氧气的情况下碳含量呈现出先升后降的复杂变化趋势.大量碳的沉积宽化了Ir的衍射峰,使其具有非晶衍射的特征.当沉积温度为650℃,未通氧气沉积的Ir/C簇膜中铱晶粒粒经约为3nm.

关键词: 低维金属材料 , Ir/C簇膜 , 成分 , 结构 , 金属有机化合物化学气相沉积

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