曹亚超
,
李明伟
,
程旻
,
宋洁
,
胡志涛
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.17.013
采用原子力显微镜实时和非实时观察了不同过饱和度下 KDP 晶体(100)面相变界面微观形貌,观察到晶体从生长死区恢复生长的过程；首次得到大台阶形成过程的实时 AFM图像,解释了大台阶的形成机理；分析了台阶失稳的原因。结果表明,不同实验条件下,KDP(100)面相变界面均呈现为台阶面。在低过饱和度下,生长台阶来源于螺位错；在较高过饱和度下,层状台阶列来源于二维核。
关键词:
KDP
,
相变界面
,
大台阶
,
AFM
,
层状台阶列
康道远
,
程旻
,
张小莉
,
李明伟
,
杨森
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.07.034
首先测定了掺杂不同浓度甲紫条件下 KDP 晶体的溶解度曲线,发现随着掺杂浓度的增大,KDP 晶体的溶解度逐渐减小；进而通过测定不同掺杂条件下KDP溶液的成核诱导期,发现随着甲紫掺杂浓度的增大,溶液的诱导期先增大后减小,说明适量浓度的甲紫掺杂能够增加溶液的稳定性.最后进行了掺杂不同浓度甲紫条件下KDP晶体的生长实验,测量了晶体各向的生长速度,发现晶体各向生长速度均随着掺杂浓度的增大先减小后增大,最终减小,当甲紫掺杂浓度为0．1％mol/L时,KDP晶体各向生长速度最快.
关键词:
KDP
,
甲紫
,
掺杂
,
诱导期
,
生长速度
程旻
,
李明伟
,
付东
,
薛晓攀
,
喻江涛
功能材料
研究了不同pH值下、不同温度和过饱和度的KDP溶液的成核过程,测定了不同情况下溶液的诱导期.研究表明,当KDP溶液的过饱和比S1.3时,均匀成核起主导作用;当S<1.2时,非均匀成核起主导作用.根据经典均匀成核理论,针对KDP过饱和溶液均匀成核的情况计算出了不同pH值、不同温度下的固-液界面张力等成核参数,并从上述参数的相互比较中分析得到了改变pH值后溶液稳定性变强的原因.最后通过对表面熵因子的计算,确定了KDP晶体的微观生长机制为连续生长模式.
关键词:
pH值
,
KDP
,
均匀成核
,
诱导期
,
固-液界面张力
殷士杰
,
李明伟
,
朱廷霞
,
郭晋丽
,
宋洁
功能材料
提出一种有望用于研究临界或近临界晶核大小及形状的新方法,借助于原子力显微镜(AFM),对磷酸二氢钾(KDP)晶核的大小以及形状进行了研究.结果表明,应用"蒸发成核法"可得到纳米尺寸的晶核,随溶液浓度的增大,晶核直径从25.8nm增大至59.1nm.其中最小尺寸的晶核,与低过饱和度下的理论预测值较接近.一般情况下,晶核呈球缺型,与经典理论假设形状相符.但蒸发温度低时,晶核可呈矩形(柱状),与KDP晶体的宏观形状更为接近.在蒸发速度较快时,晶核难以形成,只会出现溶质的堆积体.
关键词:
成核
,
蒸发
,
AFM
,
KDP
丁建旭
,
张建芹
,
王圣来
,
牟晓明
,
许心光
,
顾庆天
,
孙云
,
刘文洁
,
刘光霞
人工晶体学报
针对KDP晶体生长过程中常出现的SO2-4,NO-3和Cl-杂质,采用传统法和快速法掺杂生长了一系列KDP晶体,研究了不同阴离子杂质掺杂对KDP晶体X和Z向的电导率的影响.结果表明,X向的电导率比Z向电导率高;未掺杂时,快速生长的KDP晶体比传统法生长的KDP晶体具有更高的电导率; SO2-4的掺杂增大了晶体在两个方向的电导率,且随着掺杂浓度的增加,晶体的电导率也相应增大;NO-3和Cl-对KDP晶体的电导率影响不大.分析认为,快速生长的KDP晶体具有更高的缺陷浓度,从而增大了晶体的电导率;SO2-4具有与PO3-4结构的相似性,从而能够取代部分PO3-4进入晶格,从而产生H+空位.H+空位的定向移动能增大晶体的电导率.而NO-3和Cl-与PO3-4结构差异较大,很难取代进入PO3-4晶格,因此NO-3和Cl-对KDP晶体的电导率影响不大.
关键词:
KDP
,
电导率
,
晶体缺陷
,
掺杂
孙洵
,
许心光
,
王正平
,
李毅平
,
高樟寿
,
房昌水
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.01.007
光散射是衡量磷酸二氢钾(KDP)晶体质量优劣的一个重要参数,但是由于散射点的尺寸小,因而其组成成分和成因的研究、分析十分困难.本文首次利用透射电镜(TEM)研究了KDP晶体中液相散射颗粒的尺寸、组成成分,提出了散射形成机理,并进行了验证.
关键词:
KDP
,
透射电镜
,
液相散射
,
阴离子基团
丁建旭
,
王圣来
,
牟晓明
,
于光伟
,
许心光
,
孙云
,
刘文洁
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01191
采用激光偏振干涉手段实时测量了KDP晶体(100)面的生长速度与过饱和度之间的关系,用AFM技术观察了KDP晶体(100)面在不同过饱和度下的基本台阶和聚并台阶形貌,并据此分析了由基本台阶到聚并台阶的过程及其与过饱和度之间的关系.研究表明:过饱和度为1.8%时,(100)面上以基本台阶为主,基本台阶的高度为0.366 nm,约为半晶胞高度;增大过饱和度,基本台阶开始聚并,聚并初期,台阶高度增加,进而台阶宽度增加;随着过饱和度的增大,台阶聚并加剧,推移速度加快,但聚并台阶的斜率基本不变.
关键词:
KDP
,
台阶聚并
,
AFM
,
晶体生长
