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KMgF3晶体的生长研究

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.02.002

本文采用Bridgman方法生长了KMgF3单晶.晶体生长参数:在1130℃、1.5×105Pa Ar气氛条件下,以4.5mm/h的速度下降,下降结束后,以1.5℃/min的降温速度降温到室温,获得了直径10mm,长40mm 的单晶,测定了所获单晶的X射线粉末衍射图谱,讨论了真空条件与惰性气氛条件以及氧含量的控制对晶体生长的影响.

关键词: KMgF3晶体 , Bridgman方法 , 氧含量

用 Czochralski 方法生长KMgF3 晶体的研究

张万松 , 徐孝镇 , 孙为 , 周广刚 , 冯金波

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.033

先把KF和MgF2 以1:1摩尔比混合后在Ar气体环境中650℃的恒温下烧结成KMgF3化合物.然后仍在Ar气体环境中用Czochralski方法生长了KMgF3:Cr2+、KMgF3:Eu2+、KMgF3:Sm2+ 等无色、透明的优质单晶体.并分析了能够成功地生长优质氟化物晶体的各个关键环节.

关键词: Czochralski方法 , KMgF3晶体 , Ar气体环境

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