李瑞琦
,
李春东
,
何世禹
,
杨德庄
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2007.03.004
采用蒙特卡罗方法(MC方法),模拟了质子辐照时质子的能量损失、射程、射程偏离及其产生的空位缺陷和电离能损分布.模拟结果表明:入射能量在10～300 keV区间,Kapton/Al对入射质子的阻止本领主要取决于电子阻止本领,在80 keV出现峰值,可作为地面模拟试验能量选取的参考;质子在Kapton/Al中的射程分布可近似看作高斯分布,质子射程及其偏离随能量增加而增加;位移缺陷和电离作用是两个相对的过程,低能时主要表现为位移缺陷,高能时表现为电离作用.
关键词:
质子辐照
,
Kapton/Al
,
蒙特卡罗
,
能量损失
,
射程
