赖占平
,
齐德格
,
高瑞良
,
杜庚娜
,
刘晏凤
,
周春锋
,
高峰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.003
采用高压LEC工艺生长3inch掺Si GaAs单晶,掺杂浓度大于1×1018/cm3,晶体位错密度小于1×104/cm2.实验发现,采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂,固液交界面处均会产生浮渣,造成无法引晶.而实际掺杂量应为理论计算值的4倍以上.
关键词:
GaAs
,
单晶
,
掺杂
,
LEC
杨俊
,
段满龙
,
卢伟
,
刘刚
,
高永亮
,
董志远
,
王俊
,
杨凤云
,
王凤华
,
刘京明
,
谢辉
,
王应利
,
卢超
,
赵有文
人工晶体学报
采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备.通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te 整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg, 成晶率可达80%以上.4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm-2,其(004)双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好.晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性.经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片.通过控制本征受主缺陷浓度和掺杂浓度,制备出具有良好近红外透光率的n型GaSb单晶衬底.
关键词:
锑化镓(GaSb)
,
液封直拉法(LEC)
,
单晶
,
衬底
