王海英
,
杜保立
,
李玉山
,
张星
,
李喜贵
,
路庆凤
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.029
我们测量了La2-xMxCuO4 (LMCO,M=Sr,Ba,x=0.05,0.10,0.125,0.15,0.2)体系的室温正电子寿命谱,研究了正电子湮没机制与超导电性之间的关系.实验结果表明在x=1/8附近电子密度(ne)出现峰值响应,说明在掺杂浓度不断增加的过程中,当x<1/8时,正电子-空穴反关联起决定性的作用,而在x>1/8时,化学掺杂引起的电子损失是决定电子密度的最重要的原因.
关键词:
La2-xMxCuO4超导体
,
正电子寿命谱参数
,
掺杂
,
电子密度
