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掺镧钨酸铅晶体缺陷的理论研究

姚明珍 , 顾牡

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.008

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了掺镧PbWO4晶体中相对缺陷的电子态密度分布,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制.发现VPb是掺镧钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式.缺陷态LaPb+VPb的态密度分布以及其激发能的计算结果表明:掺镧晶体不会引起420nm和350nm的吸收,改善了PbWO4晶体中的两个本征吸收带.掺杂后晶体中O2p→W5d的跃迁能量为3.98eV.

关键词: La:PbWO4 , 密度泛函 , 吸收中心 , 态密度分布