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LaNiO3缓冲层对Pb(Zr,Ti)O3铁电薄膜的影响

王根水 , 石富文 , 孙璟兰 , 孟祥建 , 戴宁 , 褚君浩

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.004

采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3(PZT/LNO)多层薄膜.X射线衍射测量表明LNO缓冲层的引入使PZT薄膜(111)择优取向度减小,(100)取向增加.原子力显微镜测量表明引入LNO缓冲层使得PZT薄膜表面更加平整、致密.在LNO缓冲层上制备的PZT薄膜具有优良的铁电特性和介电特性:LNO缓冲层厚度为40nm时,500 kV/cm的外加电场下,剩余极化(Pr)为37.6μC/cm2,矫顽电场(Ec)为65 kV/cm;100 kHz时,介电常数达到822,并且发现LNO缓冲层的厚度为40nm,PZT的铁电、介电特性改进最为显著.

关键词: LaNiO3 , PbZr0.4Ti0.6O3 , 铁电薄膜 , 剩余极化 , 介电特性

激光脉冲外延生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜及其特性研究

刘瑜 , 程秀兰 , 谢四强

功能材料

利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极并外延生长(100) Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜,系统研究了生长温度对PZT外延结构和电学特性的影响.研究发现当生长温度高于550℃时即可得到外延(100)PZT薄膜.在对所制备的PZT薄膜的结构和性能测试表明,650℃下生长的PZT薄膜外延性最佳,并且表现出优异的介电和铁电性能,介电常数ε、剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为900、26.5 μC/cm2和52.1kV/cm.试验还证实这种外延PZT薄膜具有优良的抗疲劳特性,可用于铁电存储器的制备中去.

关键词: PZT , 异质外延生长 , 激光脉冲沉积 , LaNiO3 , 铁电

镍酸镧导电薄膜的热处理制度与电性能研究

陆维 , 郑萍 , 孟中岩

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.013

研究了镍酸镧(分子式LaNiO3,简称LNO)导电薄膜的制备,及其与性能之间的关系.实验结果表明热处理制度和热处理过程中通氧是LNO薄膜获得良好电性能的关键.实验发现LNO薄膜在退火温度550℃时就已经晶化,并且随着退火温度的升高,薄膜电性能也随之提高,但是当温度高于860℃后,LNO薄膜发生了结构相变并伴有NiO的析出,因此导致了薄膜电阻率的升高.较短的预处理时间和较长的退火处理时间有助于薄膜晶粒的长大,从而提高薄膜的电性能.同时也讨论了LNO薄膜电阻率和工作温度的关系.

关键词: LaNiO3 , 热处理 , 薄膜 , 电阻率

(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3/LaNiO3薄膜的射频磁控溅射制备和性能研究

吴家刚 , 朱基亮 , 肖定全 , 朱建国 , 谭浚哲 , 张青磊

功能材料

采用射频磁控溅射技术,以LaNiO3(LNO)作为过渡层,在SiO2/Si(100)、Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上分别获得了(100)、(110)取向的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜.研究了LNO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)和LNO/SiO2/Si(100)基底对PLT薄膜微结构和铁电性能的影响.实验结果表明,与在LNO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上沉积的(110)取向的PLT薄膜相比较,在LNO/SiO2/Si(100)基底上沉积的高度(100)取向的PLT薄膜具有更好的微结构和更高的剩余极化强度,其2Pr为40.4μC/cm2.

关键词: (Pb090La010)Ti0975O3(PLT) , 铁电薄膜 , 射频磁控溅射 , LaNiO3 , 剩余极化

沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响

刘保亭 , 武德起 , 闫正 , 乔晓东 , 赵庆勋 , 王英龙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.016

采用磁控溅射法在(001)SrTiO3 基片上制备了LaNiO3氧化物薄膜,应用X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等技术系统研究了沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响.结果表明在较低的生长温度和较宽的温度范围内(250~400℃)都能得到外延LaNiO3薄膜.输运性质的测量结果表明在其它条件不变的情况下,250℃温度下生长的LaNiO3薄膜具有最高的电导率.

关键词: LaNiO3 , 外延薄膜 , 磁控溅射

LaNiO3导电氧化物薄膜的制备及应用研究

彭焕英 , 殷明志 , 蒋迪波

材料导报

综述了退火温度、气氛和衬底对LNO薄膜结构和电性能的影响,详细介绍了LNO薄膜作底电极或过渡层在钙钛矿结构的PLT、PZT、BST铁电和BFO铁磁电薄膜生长过程中对其铁电性能和疲劳性能的影响.

关键词: LaNiO3 , 制备 , 应用

溶胶-凝胶法制备LaNiO3薄膜及其电学性能研究

赵全亮 , 祁利辉 , 李中翔 , 何广平 , 狄杰建 , 王大伟

人工晶体学报

采用溶胶-凝胶法在SiO2/Si衬底上制备了LaNiO3薄膜,并通过改变退火温度和薄膜厚度对其微结构和电学性能进行了表征测试.X射线衍射(XRD)和电阻率测试结果表明,随着退火温度和厚度的增加,LaNiO3薄膜的结晶质量明显提高,薄膜电阻率也逐渐下降.当退火温度为800℃时,厚度为630 nm的LaNiO3薄膜电阻率最小,达到了1.37 mQ·cm.此外,利用LaNiO3薄膜作为下电极制备的2% Nb-Pb(Zr06Ti0.4)O3薄膜呈良好的钙钛矿相结构,且经过1010铁电循环测试周期以后,2% Nb-Pb(Zr06Ti0.4)O3薄膜的铁电性能未出现明显下降,表明该LaNiO3薄膜是生长PNZT铁电薄膜的优良下电极材料.

关键词: 镍酸镧 , 电学性能 , 溶胶-凝胶 , 铌锆钛酸铅

镍酸镧陶瓷靶材的制备工艺

刘秋香 , 董桂霞 , 冯冬梅

材料热处理学报

采用固相反应法制备镍酸镧(LaNiO3)粉体,利用常压烧结法烧结LaNiO3陶瓷靶材.探索了制备LaNiO3陶瓷粉体的工艺条件;利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析了固相反应热处理工艺及烧结工艺对LaNiO3陶瓷粉体及靶材的相组成及微观形貌的影响.结果表明:在氧气气氛中,900℃下煅烧10 h可获得纯度较高、晶粒细小的LaNiO3粉体;烧结温度为1100℃保温4h时,获得了比较致密且晶粒分布均匀的LaNiO3陶瓷靶材,同时电阻率达到了0.52 mΩ· cm.

关键词: 镍酸镧 , 靶材 , 固相反应 , 常压烧结 , 电阻率

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