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势阱离子+腔场系统中量子逻辑门的实现

李晋芳 , 张志军 , 马雷

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.06.009

基于光腔中的势阱离子同时与外激光场和腔场发生相互作用的特性,我们提出了一种量子逻辑门的实现方案.在该方案中,量子逻辑门是以离子内态和腔态作为比特,而势阱离子的运动态作为辅助比特始终保持在基态.而且,没有采用Lanb-Dicke近似,因而更容易为实验所实现.

关键词: 量子计算 , 量子逻辑门 , 势阱离子 , 腔场 , Lanb-Dicke参数

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