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彭瑞伍 , 胡金波
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.03.002
总结了我国在MOCVD化合物半导体材料方面的最新进展, 重点为MOCVD化学、Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体材料及其在光电和微波器件中的应用. 为进一步发展我国的MOCVD材料提出了若干建议.
关键词: 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) , MOCVD半导体材料 , MOCVD半导体器件
