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极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质研究

冶金分析

研究了湿化学法(120℃硝酸氧化,还有低温湿法氧化过程和高温退火组合)制备的极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质.用深能阶暂态光谱学(电荷版)分析了电界面性质,用傅里叶变换衰减全反射红外光谱考察了极薄氧化物/6H-SiC结构的光学性质.发现界面缺陷结构的强转换依赖于应用的技术条件.

关键词: 碳化硅 , MOS , 硝酸氧化 , 傅里叶变换红外光谱 , 深能阶瞬态光谱

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/31/3/035003

关键词:

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/32/12/121002

关键词:

MOS Capacitance-Voltage Characteristics:V.Methods to Enhance the Trapping Capacitance

揭斌斌 , 薩支唐

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/33/2/021001

关键词:

PDSOI NMOS/CMOS闩锁特性

曾传滨 , 海潮和 , 李晶 , 李多力 , 韩郑生

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.003

本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)NMOS、CMOS结构的闩锁(latch)特性.提出了一种体电极触发诱发PDSOI NMOS器件闩锁效应维持电压的测试方法,并用此方法测试出了不同栅长、栅宽和体接触结构NMOS/CMOS的闩锁效应维持电压,以及沟道注入条件和温度对维持电压的影响.

关键词: 绝缘体上的硅 , 闩锁 , 金属氧化物半导体