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退火诱导MgZnO薄膜(220)晶向晶化性质的研究

李景 , 顾济华 , 钱波 , 蒋春萍 , 马仙梅

材料导报

采用激光脉冲沉积法(PLD)在石英玻璃上成功制备了一系列MgZnO薄膜.并通过选用高Mg含量的靶材,成功将薄膜的吸收边调节至极紫外区域(200~280nm),经计算MgZnO薄膜的带隙高达5.46eV.进一步研究这种高Mg含量的MgZnO薄膜的结构特性,对薄膜进行了热退火处理,并首次观察到依赖于退火温度变化的(220)取向衍射峰的变化.

关键词: MgZnO薄膜 , 禁带宽度 , (220)取向 , 退火温度

Mg含量对MgZnO薄膜光学性质的影响

高丽丽 , 徐莹 , 张淼 , 张跃林 , 姚斌

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142903.0350

利用射频磁控溅射技术,高纯的氩气作为溅射气体,分别选用不同Mg含量的MgxZn1-xO陶瓷靶材,在石英衬底上生长六角纤锌矿结构的MgxZn1-xO薄膜,并对薄膜进行了后期热退火处理.研究了Mg含量对MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响.实验结果显示,随着Mg含量的增加,薄膜的带隙变宽;光致发光光谱中近带边发射中心蓝移,近带边紫外发射与可见光区深能级发射强度比值减小,发光质量下降;拉曼光谱仍然保持着ZnO的拉曼振动模式,但随着Mg含量的增加,E2high振动峰逐渐展宽,峰型对称性变差.分析表明,随着Mg的合金化,薄膜中产生了更多的杂质缺陷,结晶质量下降.

关键词: 射频磁控溅射 , MgZnO薄膜 , Mg含量 , 光学性能

N掺杂p型MgZnO薄膜的制备与性能研究

高丽丽 , 刘军胜 , 张淼 , 张跃林

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0499

利用磁控溅射设备,Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,以高纯的氮气与氩气混合气体作为溅射气体,在石英衬底上沉积获得了N掺杂p型Mg0.07Zn0.93O薄膜,薄膜的电阻率为21.47 Ω·cm,载流子浓度为8.38×1016 cm 3,迁移率为3.45 cm2/(V·s).研究了该薄膜的结构与光学性能.实验结果显示,其拉曼光谱中出现了位于272和642 cm 1左右与No相关的振动模.低温光致发光光谱中,可以观察到位于3.201,3.384和3.469 eV的3个发光峰,其中位于3.384 eV的发光峰归因为导带电子到缺陷能级的复合发光,而位于3.469 eV的发光峰归因为受主束缚激子(A0X)的辐射复合,这说明该N掺杂MgZnO薄膜的空穴载流子主要来自No受主的贡献.

关键词: 射频磁控溅射 , MgZnO薄膜 , N掺杂 , p型

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