宁海霞
,
王敏
,
赵宏平
,
郭彩芬
人工晶体学报
采用固相烧结法制备MnO2掺杂的BiFeO3-PbTiO3-Bi(Zn1/2Ti1/2)O3-PbZrO3 (BF-PT-BZT-PZ)压电陶瓷,研究了不同MnO2掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响.实验结果表明,适量的MnO2掺杂,不仅能使晶粒长大,提高晶界强度,而且可以改善材料的介电压电性能.当MnO2掺杂量为0.1 mol％时,880℃(5 h)烧结的陶瓷样品性能参数为:d33 =97 pC/N,kp=0.29,kI=0.37,εr=390,tanδ ～0.02.
关键词:
铁酸铋-钛酸铅
,
MnO2掺杂
,
高温固相法
,
压电性能
范修军
,
王越
人工晶体学报
采用固相反应法制备了MnO2掺杂Sr.95Ca0.05.osNaNbsO15+y wt%MnO2(SCNNM)无铅压电陶瓷.研究了MnO2掺杂对SCNNM陶瓷显微结构及电学性能的影响.结果表明:当y≤0.7时,SCNNM陶瓷为单一的四方钨青铜结构,当y≥1.0时有第二相生成;少量MnO2掺杂能有效降低烧结温度,促进晶粒长大,显著提高SCNNM陶瓷的介电、压电性能,降低矫顽场和居里温度,当y＞0.7时,陶瓷烧结恶化,性能降低.当y＝0.5时,SCNNM陶瓷具有较好的介电、压电和铁电性能:介电系数εr＝2123,介电损耗tanδ＝0.038,平面伸缩振动机电耦合系数Kp＝13.4%,厚度伸缩振动机电耦合系数K1＝36.5%,矫顽场E.＝12.68 kV/cm,剩余极化强度Pr＝4.76 μC/cm2,压电系数d33＝190 pC/N,机械品质引因数Qm＝1455,居里温度Tc＝260℃.
关键词:
MnO2掺杂
,
钨青铜结构
,
SCNNM
,
压电陶瓷
薛刚
,
张高磊
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2010.01.021
采用传统陶瓷工艺制备了MnO_2掺杂Ni_(0.88)Zn_(0.12)Fe_(1.98)O_4铁氧体材料.实验发现,较高的烧结温度有助于NiZn铁氧体磁导率的提高,但过高和过低烧结温度都不利于材料品质因数的提高,从降低损耗的角度考虑,最佳烧结温度为1220℃.当NiZn铁氧体中Mn0_2掺杂量为1.5%时,铁氧体晶粒生长均匀,平均晶粒尺寸适中,能获得最高的品质因数,过低或过高的掺杂量都不利于损耗的降低.铁氧体饱和磁感应强度随MnO_2掺杂量的增多先上升,后下降,但总体的变化程度都不大.而矫顽力则随掺杂量的增多持续下降.相关的影响机制在文中作了详细的讨论.
关键词:
NiZn铁氧体
,
MnO2掺杂
,
磁导率
,
品质因数
