陈齐松
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王华
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许积文
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韦长成
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张玉佩
兵器材料科学与工程
以水合乙酸锌、水合乙酸锰为前驱体，利用溶胶-凝胶旋涂法在p+-Si衬底上制备Mn掺杂的ZnO阻变薄膜（MZO）。研究工艺中预热处理温度对薄膜的微观结构、阻变特性的影响，分析了薄膜高阻态和低阻态的导电机理。结果表明：经250、300℃预热处理的MZO薄膜孔洞较多，而经350℃预热处理的MZO薄膜致密，无孔洞且呈c轴择优取向生长；经不同温度预热处理所制备的Ag/MZO/p+-Si器件均呈双极性的阻变特性，但经350℃预热处理的器件样品具有更显著的阻变行为和更高的高、低电阻比RHRS/RLRS（104~106）；器件在高阻态的低压区为欧姆导电，高阻态高压区为肖特基发射电流传导，在低阻态为空间电荷限制电流（SCLC）传导。
关键词:
Mn掺杂ZnO
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溶胶凝胶
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阻变特性
,
预热处理
李金华
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张吉英
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赵东旭
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吕有明
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申德振
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范希武
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.01.003
ZnO的激子束缚能高达60 meV,具有优良的光学性质.因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来.文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶,讨论了在不同退火温度下纳米晶的结构和磁性.XRD结果显示,所有样品均为六角纤锌矿结构.退火后,Mn掺杂ZnO纳米晶的晶格常数均略大于纯净ZnO的晶格常数,表明Mn2+已经替代Zn2+进入ZnO晶格.500 ℃退火的样品在4～300 K温度范围内表现为顺磁性.将退火温度提高到900 ℃后,有少量尖晶石结构的ZnMn2O4存在.室温磁滞回线表明样品具有室温铁磁性,磁性来源于ZnMn2O4.
关键词:
Mn掺杂ZnO
,
退火
,
结构
,
磁性
