傅晓伟
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杨王玥
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张来启
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孙祖庆
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朱静
金属学报
研究了含30%SiC(体积分数)的热压原位合成MoSi2基复合材料及对比用的商用MoSi2与SiC混粉热压材料在1200-1400℃的压缩蠕变行为.结果表明,在60-120 MPa应力条件下,原位合成复合材料的稳态蠕变速率都可维持在10-7s-1量级或更低的水平.高于1300℃,原位合成材料的稳态蠕变速率明显低于商用混粉材料的主要原因是MoSi2/SiC相界面为纯粹的原子结合,无SiO2非晶相存在.蠕变机制为位错蠕变,MoSi2基体中的位错类型为〈110〉与〈100〉.
关键词:
MoSi2/SiC复合材料
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null
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null
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null
傅晓伟
,
杨王玥
,
张来启
,
孙祖庆
,
朱静
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.07.013
研究了含30%SiC(体积分数)的热压原位合成MoSi2基复合材料及对比用的商用MoSi2与SiC混粉热压材料在1200-1400℃的压缩蠕变行为.结果表明,在60-120 MPa应力条件下,原位合成复合材料的稳态蠕变速率都可维持在10-7s-1量级或更低的水平.高于1300℃,原位合成材料的稳态蠕变速率明显低于商用混粉材料的主要原因是MoSi2/SiC相界面为纯粹的原子结合,无SiO2非晶相存在.蠕变机制为位错蠕变,MoSi2基体中的位错类型为〈110〉与〈100〉.
关键词:
MoSi2/SiC复合材料
,
原位合成
,
蠕变
,
位错
