赵守仁
,
张怀金
,
胡小波
,
孔海宽
,
刘均海
,
徐现刚
,
王继扬
,
蒋民华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.020
采用提拉(Czochralski)法生长了Nd:LuVO4晶体.利用液相反应法,以V2O5和NH4OH生成NH4VO3,Nd2O3、Lu2O3和HNO3生成Nd(NO3)3和Lu(NO3)3反应制备多晶料;所生长Nd0.01Lu0.99VO4晶体为16×20×21 mm3,质量超过40g.以X射线荧光分析仪测得其生长中各主要元素的分凝系数.其中Nd3+约为0.91,V3+和Lu3+接近1.还测定了其介电常数ε11=27.2,ε33=33.9(30℃,1kHz),以同步辐射X射线白光形貌术观察了其内部质量.
关键词:
Nd:LuVO4
,
提拉法
,
分凝系数
,
介电常数
,
同步辐射形貌
王晓霞
,
李红霞
,
张怀金
,
王继扬
,
沈明荣
,
方亮
,
宁兆元
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.006
采用脉冲激光沉积技术在不同温度和氧分压下,在(100)Si片和抛光石英片上生长了一系列(200)面择优取向的Nd:LuVO4薄膜.利用X射线衍射分析了所制备薄膜的成膜情况,认为成膜较为适宜的温度为700℃,氧分压为10Pa.用棱镜耦合法测得了该薄膜的有效折射率为2.0452.利用扫描电镜(SEM)观察了Nd:LuVO4薄膜的表面形貌.
关键词:
脉冲激光沉积
,
Nd:LuVO4
,
薄膜
