姜本学
,
赵志伟
,
徐晓东
,
宋平新
,
王晓丹
,
徐军
,
邓佩珍
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.020
由于Nd3+离子半径0.112nm和Y3+离子半径0.101nm相差10.9%,使得Nd3+离子非常难于进入YAG晶体中.我们用温度梯度法生长了大尺寸高浓度(2.8at%)的Nd:YAG晶体,同时与用提拉法Nd:GGG晶体进行了比较.分析了高浓度掺杂Nd:GGG和 Nd:YAG晶体浓度猝灭问题.研究了不同浓度掺杂的猝灭效应.在同样的掺杂浓度下,我们发现它们的猝灭程度不同,其原因是两种晶体中ΔE(-)mism和ΔE(+)mism不同.
关键词:
Nd:GGG
,
Nd:YAG
,
浓度猝灭
,
荧光寿命
邵淑芳
,
张庆礼
,
孙敦陆
,
苏静
,
王召兵
,
张霞
,
殷绍唐
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.04.016
采用共沉淀方法,以金属Ga和Gd2O3为起始原料,以氨水为沉淀剂,制备了GGG多晶.测量了共沉淀方法制备的GGG多晶、固相反应法制备的Nd:GGG多晶以及提拉法生长的GGG、Nd:GGG晶体的X射线衍射谱(XRD),利用图解外推法计算了晶格参数.共沉淀方法制备的GGG多晶原料较固相法制备的Nd:GGG晶格参数小,可能是固相制备过程中Ga组分挥发导致Gd3+取代了Ga3+位以及Nd3+占据了部分的Gd3+位,从而使晶格参数变大.同时就提拉法生长的Nd:GGG晶体和GGG晶体的晶格参数进行比较发现,Nd:GGG晶体的晶格参数较纯GGG晶体的晶格参数大,说明在Nd:GGG晶体中Nd3+占据了部分的Gda+位.另外,晶体的晶格参数较多晶粉末的晶格参数大,分析认为这可能也是由于Ga组分的挥发导致Gd3+占据了Ga3+位所引起.这些实验结果说明Ga组分挥发在原料制备过程和晶体生长过程中都可能存在,因此应在制备原料和晶体生长等各个环节中考虑Ga组分的挥发.采用液相共沉淀方法制备有利于抑止Ga组分的挥发.
关键词:
材料
,
Nd:GGG
,
晶格参数
,
共沉淀法
,
晶体生长
孙晶
,
曾繁明
,
李建立
,
万玉春
,
张亮
,
刘景和
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.047
采用溶胶-凝胶燃烧法成功合成了Nd:GGG激光陶瓷粉体,讨论了溶胶-凝胶的转化,并对Nd:GGG粉体进行了XRD、TG-DTA、SEM及荧光光谱分析.XRD分析表明1000℃是Nd:GGG粉体合成的最佳温度,并且随着煅烧温度的升高粉体的粒径长大,SEM观察发现在1000℃下粉体粒度均匀,平均粒径为100nm,荧光光谱测试结果表明荧光发射的最强峰位于1061.54nm处,是Nd3+的4F3/2-4I11/2谱相导致的荧光发射.
关键词:
Nd:GGG
,
激光陶瓷粉体
,
溶胶凝胶燃烧法
