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一族Nd:YxGd1-xVO4混晶性质比较及其调Q性能研究

秦连杰 , 姜付义 , 孟宪林 , 徐惠忠 , 侯学元 , 祝俐 , 刘均海

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.039

Czochralski法成功生长了一系列不同Gd/Y的低掺杂Nd:YxGd1-xVO4混晶,并对它们的一些基本性质进行了比较,发现随着Gd含量的增加,晶体晶胞a, c轴常数呈线性增长,故YVO4 和GdVO4晶体可以实现无限互溶.少量Gd掺杂可使混晶晶体比热和荧光寿命增大,并有效地增强了其荧光强度.我们对该晶体的低功率泵浦下的Cr4+:YAG调Q激光性能也进行了研究,发现Nd:YxGd1-xVO4混晶具有良好调Q性能.

关键词: Nd:YxGd1-xVO4混晶 , 晶体生长 , 性质 , 激光 , 调Q

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