传秀云
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.06.021
在膨胀石墨CuCl2-NiCl2-GICs合成和电性研究基础上，采用MODEL 155振动磁强计测量了GICs在0～7．958×105A／m磁场强度下的磁化强度、磁化率．发现CuCl2-NiCl2引入石墨层间，形成GICs后磁性升高．与膨胀石墨相比，GICs的磁化率大约提高了2～3个数量级．GICs的磁性不但由石墨的抗磁性转变成为顺磁性，磁化曲线斜率由负变正，而且随着阶结构、CuCl2和NiCl2比例变化，GICs磁性发生变化．氯化镍含量在50％以下，表现为强烈的顺磁性；50％时，磁化曲线出现最大值，表现为铁磁性．>50％，达到60％、80％时，铁磁性更明显．GICs阶数升高，铁磁性降低．
关键词:
石墨层间化合物
,
磁性
,
膨胀石墨
,
CuCl2
,
NiCl2
蔡爱军
,
李富进
,
刘洪波
,
张红波
新型炭材料
doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2004.01.006
采用熔盐法,以天然鳞片石墨为宿主,NiCl2与FeCl3的混合物为插层剂合成三元FeCl3-NiCl2-GIC.考察了石墨与氯化物的摩尔比、NiCl2与FeCl3的摩尔比、反应温度和反应时间等工艺因素对产物阶结构和产物中Ni与Fe原子比的影响,探讨了NiCl2与FeCl3在石墨层间的插层过程.研究结果表明,改变反应体系中石墨与氯化物的摩尔比、NiCl2与FeCl3的摩尔比、反应温度和恒温时间,可以得到阶结构和Ni/Fe原子比不同的FeCl3-NiCl2-GIC,产物中的Ni/Fe原子比随反应体系中NiCl2与FeCl3的摩尔比的增大、反应温度的提高而增加.当石墨/氯化物的摩尔比为3∶1,NiCl2/FeCl3的摩尔比为3∶7,反应温度为400 ℃,反应时间为72 h时,所得产物为一阶FeCl3-NiCl2-GIC.反应过程中存在FeCl3先插入石墨层间,然后NiCl2逐渐替换FeCl3的插层反应机制.
关键词:
石墨层间化合物
,
熔盐法
,
FeCl3
,
NiCl2
,
反应机制
杨丽
,
刘洪波
,
李富进
,
邹艳红
,
何欢
新型炭材料
以天然鳞片石墨为宿主,FeCl3、NiCl2为插层剂,通过熔盐法制备了不同阶结构的三元FeCl3-NiCl2-GICs.采用XRD、SEM、EDS等对GICs的阶结构、表面形貌及成分进行了分析,试样的导电性和微波吸收性能分别由粉末电阻率测定仪和网络矢量分析仪进行测定.结果表明,插层过程中宿主石墨沿c轴方向膨胀并在层面边缘留下侵蚀痕迹,随着阶数的升高边缘侵蚀程度逐渐减弱.不同阶结构的三元FeCl3-NiCl2-GICs中Cl元素在石墨层间均匀分布,而Fe、Ni元素在单个鳞片内则旱不均匀分布,Fe元素的相对百分含量由鳞片边缘向中心呈上升趋势,而Ni元素则完全相反.FeCl3-NiCl2-GICs的电阻率低于宿主石墨,且随着阶数的升高先降低后增大,二阶FeCl3-NiCl2-GICs的导电性最好.FeCl3-NiCl2-GICs具有较好的微波吸收性能,其最大反射损耗量随阶数增大先减小后增大.一阶FeCl3-NiCl2-GICs反射损耗最最大,在试样厚度为2mm时,其最大反射损耗量为-10.3dB.
关键词:
石墨层问化合物
,
FeCl3
,
NiCl2
,
微波吸收
王英
,
薛成山
,
庄惠照
,
王邹平
,
张冬冬
,
黄英龙
功能材料
采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜,通过化学气相沉积法(CVD)制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的分析结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米线的直径在50～200nm之间,纳米棒的直径在200～800nm之间.
关键词:
GaN纳米结构
,
NiCl2
,
CVD
涂湛
,
王贺贺
,
李远鹏
,
江社明
,
唐囡
,
杨又华
,
俞钢强
腐蚀与防护
采用光学显微镜和扫描电镜对角钢在氯化镍含量不同的无铵助镀剂中助镀获得的镀层进行了镀层金属间化合物层形貌和镀层厚度的分析.结果表明,在一定范围内,随着氯化镍含量的增加,获得的镀层厚度不断减小,当氯化镍含量增加到6 g/L时镀层厚度不再随氯化镍含量的增加而减薄,氯化镍含量增加到6～8 g/L时镀层最薄,氯化镍含量为4～8 g/L时能获得厚度适中的镀层;氯化镍含量对镀锌层的形貌有影响,随着氯化镍含量的增加金属间化合物层中的ζ金属间化合物层减薄,晶粒尺寸减小.Г和δ金属间化合物变化不明显.
关键词:
氯化镍
,
批量镀
,
镀层厚度
,
金属间化合物
