李明华
,
李伟
,
滕蛟
,
于广华
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.009
采用磁控溅射制备了 NiFeCr (4.5nm)/NiFe(10nm)/MgO(4.0nm)/Ta(5.0nm)薄膜,并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高,400℃退火后达到3.02%,之后随着退火温度的升高,磁电阻变化率下降。XRD 结果表明,薄膜不仅具有很强的 NiFe(111)织构,同时还出现了 MgO 的(111)衍射峰。随退火温度的升高,MgO(111)衍射峰的强度有所降低。
关键词:
MgO
,
NiFeCr
,
各向异性磁电阻
,
退火
李建伟
,
赵崇军
,
滕蛟
,
于广华
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.13.007
NiFeCr种子层可以明显降低NiFe薄膜的低频噪声,提高信噪比.制备态下NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声比以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声下降10倍,250℃下保温2h退火后以Ta打底的NiFe薄膜的低频噪声因扩散而明显上升,而NiFeCr为种子层的NiFe薄膜的低频噪声则有小幅下降.电镜分析表明NiFeCr种子层与NiFe层形成良好的晶格匹配关系,可以基本实现NiFe完全外延式的生长.
关键词:
低频噪声
,
NiFeCr
,
种子层
,
退火
,
信噪比
