朱晓垒
,
赵勇
,
蒲明华
,
张红
低温物理学报
高温超导涂层导体是解决当今能源危机的重要复合材料之一,而经济、有效、节能的制备技术是涂层导体广泛应用的关键.本文采用表面氧化外延法在Ni wt.5％W基带上普氩下中温氧化制备了立方织构的NiO种子层.通过对氧化温度和氧化时间两个主要因素分析,确定了NiO生长条件为普氩中790℃内保温20 mins.与高温(空气中1000℃以上)制备相比,降低了氧化膜制备温度.薄膜厚度大约为650 nm.最后在生成的NiO薄膜上化学溶液沉积了YBa2 Cu3O7δ/SmBiO3复合层,所得样品超导转变温度为89 K,77 K自场下临界电流密度为1.46 MA/cm2(77 K,零场).中温表面氧化外延法为涂层导体制备提供了一种实用可行路径.
关键词:
涂层导体
,
表面氧化外延
,
NiO种子层
