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制备温度对多孔硅光学特性的影响

潘丽坤 , 李海波 , 孙卓 , 孙长庆

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.011

本文不同的温度下制备多孔硅.通过荧光光谱、光吸收谱、X射线光电子谱研究了多孔硅的光和结构特性.研究结果表明存在着一个制备临界温度343 K,当制备温度从临界温度之下提高到临界温度之上时,多孔硅的荧光和光吸收从红移转向蓝移,同时硅2p电子结合能也从减小转向增大.

关键词: 多孔硅 , 制备温度 , 光特性