张华
,
王书明
,
冯校亮
,
杨坚
低温物理学报
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在SrTiO3(100)单晶衬底上制备YBCO薄膜,用X射线对薄膜的取向和织构进行表征,用扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的表面形貌进行观察.实验主要研究了衬底温度对薄膜外延取向的影响,结果表明在770℃温度下制备的YBCO有较多的α轴晶粒生成,在800℃温度下制备的YBCO是纯的c轴取向,且平均面内ψ扫描半高宽(FWHM)为1.2°,超导转变宽度(△Tc)为0.9K.
关键词:
YBCO
,
PLD
,
织构
,
α轴晶粒
何建廷
,
庄惠照
,
薛成山
,
田德恒
,
吴玉新
,
刘亦安
,
胡丽君
,
薛守斌
功能材料
用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红外吸收(FTIR)在414.92cm-1附近出现了对应Zn-O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于370和460nm处的室温光致发光峰;扫描电子显微镜(SEM)和选区电子衍射(SAED)显示了薄膜的表面形貌以及晶格结构.利用PLD法制备了具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构ZnO薄膜.
关键词:
PLD
,
ZnO
,
薄膜
,
六方纤锌矿结构
张华
,
杨坚
,
刘慧舟
,
冯校亮
,
王书明
功能材料
报道了用脉冲激光沉积技术(PLD)在CeO_2/YSZ/Y_2O_3/NiW衬底上连续制备YBCO超导层的研究结果.分析了衬底温度、薄膜厚度和退火时间分别对YBCO的织构、表面形貌及c轴晶格常数的影响.实验发现温度较低将导致a轴晶粒的生长,薄膜太厚将引起表面形貌变差,而YBCO薄膜c轴晶格常数随退火时间的增长而减小.最终得到了高质量的YBCO涂层导体,超导转变宽度(ΔT_c)为1.6K,临界电流密度(J_c)达1.3MA/cm~2(77K,SF).
关键词:
涂层导体
,
PLD
,
衬底温度
,
薄膜厚度
,
c轴晶格常数
刘宇
,
陈星斌
,
陈金清
,
姚文俐
,
刘鲁峰
,
杜国平
低温物理学报
采用脉冲激光沉积技术（PLD）在LaAlO3（100）单晶衬底上外延生长YBa2Cu3O7-δ-Y2O3多层薄膜，用X射线衍射技术（XRD）分析薄膜的物相结构和外延特性，通过原子力显微镜（AFM）观察薄膜的表面形貌．本文主要研究了最佳工艺参数下交替生长多层YBCO-Y2O3膜的超导性能．结果表明，WBa2Cu3O7-δ-Y2O3薄膜为纯c轴取向外延生长，临界电流密度Jc（H=0或H／／C）均高于纯YBCO薄膜，纳米Y2O3起到磁通钉扎中心作用．
关键词:
高温超导薄膜
,
PLD
,
Y2O3
,
外延
王雪涛
,
朱丽萍
,
叶志高
,
叶志镇
,
赵炳辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00711
采用脉冲激光沉积(PLD)法通过电离活化方式在石英和Si(100)衬底上制备了Co-N共掺ZnO薄膜, 研究了N掺杂对Co-ZnO薄膜电学和磁学性能的影响. 实验观察到700℃、N2O压强为15Pa时生长的Co-N共掺ZnO薄膜显示室温磁滞回线. 采用XRD、SEM、XPS、霍尔测试和SQUID等手段对样品进行了测试, 结果表明, 所得薄膜样品具有高度的c轴择优取向, XRD图谱中并没有发现Co、N的相关分相, Co、N原子分别以替代位形式CoZn、NO存在于薄膜中. 霍尔测试和SQUID测试表明, Co-N共掺ZnO薄膜呈p型, 具有室温磁滞效应. 与Co掺杂ZnO薄膜相比, 载流子浓度降低, 同时, 饱和磁化强度和矫顽力有很大提高, 可见, N的掺入改变了Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的导电类型, 并增强了磁性.
关键词:
PLD
,
Co-N co-doping
,
ZnO thin films
唐亚陆
,
付兴国
,
张辉
,
张鹏翔
,
陈亮维
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2007.02.007
Au-MgF2与Ag-MgF2薄膜是一种新型复合材料,PLD和磁控溅射是很好的镀薄膜方法.文章介绍了MgF2靶材、Ag-MgF2靶材及Au-MgF2靶材的制备方法.通过实验摸索,得出MgF2靶材的压片条件;通过不同温度下烧结MgF2靶材,得出了MgF2被氧化的初始温度及其烧结的最佳温度和烧结时间;通过与真空炉烧结及氩气保护中烧结对比,获得在空气氛围中烧结MgF2的简易方法.
关键词:
金属材料
,
Au-MgF2
,
Ag-MgF2
,
PLD
,
烧结温度
,
MgO
,
XRD检测
赵胜利
,
文九巴
,
祝要民
,
秦启宗
功能材料
采用紫外脉冲激光沉积 (PLD) 法制备了0.3Ag-V2O5和LiPON薄膜,结合真空热蒸镀法原位组装0.3Ag-V2O5|LiPON|Li薄膜电池.由扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)表征了0.3Ag-V2O5和LiPON薄膜形貌与结构,利用恒电流充放电、循环伏安等技术考察了薄膜电池的电化学性能.结果表明,采用PLD方法在O2气氛和N2气氛中分别获得了表面均匀、无针孔、无裂缝、具有非晶态结构的0.3Ag-V2O5和LiPON薄膜.在电压1.0～4.0V,充放电速率2C时,以厚度100nm的0.3Ag-V2O5薄膜为阴极组装的液态电解质电池循环1000次后稳定容量仍为260mAh/g,表现出良好的循环性能.PLD沉积的LiPON电解质薄膜具有很好的锂离子导电能力,室温离子电导率为1.6×10-6S/cm,电子电导率＜10-14S/cm.在电流密度7μA/cm2,电压1.0～3.5V条件下全固态薄膜锂电池0.3Ag-V2O5│LiPON│Li的循环性能良好,100次循环后的体积比容量达.
关键词:
全固态
,
薄膜锂电池
,
0.3Ag-V2O5薄膜
,
LiPON薄膜
,
PLD
傅瑶
,
杜国平
,
叶志清
,
张兴娇
低温物理学报
本文用脉冲激光溅射沉积法(PLD)在LaAlO3(100)基片上外延生长YB%Cu307-δ掺锆酸钡(BZO)薄膜.用X射线衍射、透射电镜对薄膜结构进行分析.探索PLD沉积的最佳实验参数,最佳沉积温度为800℃,最佳氧分压为25 Pa,最佳沉积频率为3 Hz.
关键词:
YBCO
,
BZO
,
PLD
,
高温超导薄膜
彭巨擘
,
张鹏翔
,
陈大鹏
,
张虞澜
,
朱绍将
,
王茺
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.05.028
研究了PLD系统中用硅板做衬底加热器时影响衬底温度的几个因素.通过使用校准了的红外测温仪做温度检测元件,发现:1.硅板上各部分的温度不是均匀分布的;2.衬底放在硅板上时,衬底温度和硅板温度有很大的不同;3.在相同的硅板加热电流下,硅板温度随硅板环境的真空度不同而变化.不细致考虑上述因素时,脉冲激光沉积(PLD)镀膜的质量很难保证.
关键词:
PLD
,
硅板加热器
,
衬底
,
真空度
温晓莉
,
陈钊
,
陈长乐
功能材料
采用脉冲激光沉积法(PLD)在SiO2村底上成功制备了具有c轴择优生长特性的Zn1-xCoxO(x=0.05、0.1、0.2、0.3)系列薄膜.通过X射线衍射和能谱仪研究了Co掺杂量对薄膜晶体结构和成分的影响;同时利用光致发光谱(PL)和透过率研究了薄膜的光学特性.结果表明,当掺杂浓度为10%时,薄膜生长最好,c轴择优生长最为显著;Co元素的掺入改变了薄膜的紫外、绿光和蓝光发射,分析认为主要是Co元素的掺入量改变了薄膜的禁带宽度、氧错位缺陷浓度和锌填隙缺陷的浓度;Co元素掺杂浓度为5%时,薄膜的透过率超过90%.此外,探讨了不同波段光发射的可能机理.
关键词:
Zn1-xCoxO薄膜
,
掺杂浓度
,
光致发光
,
PLD
