郑克玉
,
张端明
,
周桃生
,
杨凤霞
,
李智华
,
马海峰
,
严文生
功能材料
利用改进的固相烧结工艺设计和制备出一种具有高介电常数、高压电系数的PLZT陶瓷材料.研究了Sb2O3、BaTiO3的不同掺杂量对PLZT陶瓷的介电性能和压电性能的影响.实验发现,当Sb2O3和BaTiO3含量的质量百分比均为0.5%时,PLZT陶瓷的介电性能、压电性能较佳,相应的物理参数为:频率为1kHz时室温相对介电常数εr=4500,压电常数d33=640pC/N,压电耦合系数kp=0.7,密度ρv=7.914g/cm3,居里温度Tc=213℃,介电损耗tgδ=0.0175.该材料在叠层电容器、压电陶瓷固体继电器、压电驱动器及压电电声器件等方面具有良好的应用前景.
关键词:
掺杂
,
PLZT
,
介电性
,
压电性能
侯识华
,
宋世庚
,
马远新
,
郑毓峰
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.03.008
采用Sol-Gel法,在Pt/TiO2/Si基片上制备了具有不同铅过量(0-20mol%)的PLZT铁电薄膜.分析了薄膜的晶相结构,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响. 结果表明,各薄膜均具有钙钛矿型结构,且各薄膜均呈(110)择优取向.PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变.铅过量为10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能.
关键词:
Sol-Gel法
,
PLZT
,
铁电薄膜
,
铅过量
,
电 学性质
刘丽
,
王华
,
许积文
,
任明放
,
杨玲
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2011.03.011
采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺直接在掺锡氧化铟(ITO)玻璃衬底上制备生长(Pb0.92La0.08) (Zr0.53,Ti0.47)O3(PLZT)铁电薄膜,研究不同的退火温度对PLZT薄膜生长行为、电性能及光学性能的影响.结果表明,经650℃退火PLZT薄膜具有较好矫顽场强(55 kVcm)和剩余极化强度(38μC/cm2),薄膜的漏电流可达最低值(7.1 nA),薄膜具有较好的介电性及透光性.
关键词:
PLZT
,
退火温度
,
电性能
,
光学特性
,
sol-gel
刘莹
,
程璇
,
张飒
,
张颖
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.017
通过传统固相法合成了四方相结构、晶粒平均尺寸1~2μm 且化学组成约为 Pb0．93 La0．07(Zr0．52, Ti0．48)O 3的铁电陶瓷试样.利用自制的电加载装置与常规 XRD 测试仪器联用,在不同外加直流电场作用下实现了陶瓷试样的原位 XRD 测试,通过分析(002)和(200)的相对峰强变化,计算了90°畴转向率,并与非原位 XRD 测试得到的数据进行比较,初步分析了外加电场卸载前后铁电陶瓷的电致畴变行为.结果表明,高达7％的 a 畴在电场卸载瞬间会发生回转.
关键词:
掺镧锆钛酸铅
,
原位 XRD 测试
,
90畴变
,
电场
张利文
,
宋波
,
韩菲
稀有金属材料与工程
采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si(100)底电极上成功制备了Zr/Ti摩尔比不同的Pb0.88La0.08(ZrTi1-x)3(x=0.30,0.55,0.80)的厚膜,研究了Zr/Ti摩尔比对PLZT反铁电厚膜的结构与储能行为的影响.结果表明:Zr/Ti摩尔比对PLZT反铁电厚膜的结构无太大影响;随着锆钛比中锫含量的增加,储能密度和储能效率呈现逐渐增加的趋势,其中PLZT(8/80/20)厚膜在电场强度为1400 kV/cm时储能密度达到最大,为23.8 J/crm3,储能效率高达60.0％.
关键词:
锆钛酸铅镧
,
储能行为
,
介电性能
,
Zr/Ti摩尔比
李勃
,
孙振新
,
周济
,
李龙土
稀有金属材料与工程
利用电泳组装聚苯乙烯微球单层模板为基础,以溶胶-凝胶方法制备含有纳米粒子的母液,通过电场诱导母液中纳米粒子填充模板孔隙,制备具有反演结构的PLZT有序多孔薄膜.通过SEM和XRD分析,分别给出通过电场诱导PLZT凝胶中纳米粒子沉积得到了单层有序周期结构的微观结构形貌及晶相组成.提供一种简单的制备而为铁电有序微结构的方法,可以用于功能陶瓷基光子带隙材料的研究.
关键词:
锆钛酸铅
,
电场诱导沉积
,
单层有序薄膜
