高宾
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张晓军
,
朱长军
,
成鹏飞
材料导报
以Na2WO4·2H2O和CdCl2·2.5H2O为主要原料,以表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过水热反应合成了CdWO4纳米棒.用XRD、TEM、EDS、SAED等对产物进行了表征,初步探讨了CdWO4纳米棒的形成机理,测试了CdWO4纳米棒的光致发光性能.结果表明:产物为长1～1.5 μm、直径50～80 nm的Cd-WO4纳米棒;SDBS对CdWO4纳米棒的形成具有关键作用;随着CdWO4纳米棒结晶性的提高,其光致发光性能增强.
关键词:
水热法
,
CdWO4
,
纳米棒
,
PL光谱
董少光
材料导报
研究了高能粒子辐照对InGaN材料的电子浓度变化和PL光谱强度在不同温度下变化的影响.高能粒子辐照使InGaN材料的电子浓度明显增加,表明辐照损伤在InGaN材料中产生的本征点缺陷主要是类施主点缺陷,高能粒子辐照产生的高浓度本征点缺陷最终将缺陷的Fermi能稳定在EFs处.在低温和室温条件下,InGaN材料的PL光谱随高能粒子辐照剂量的增加而变宽,且PL峰能向高能方向偏移.InGaN材料的PL光谱随辐照剂量的增加而变宽,原因是该材料中电子浓度的增加以及k选择的紊乱.研究结果表明,与一般的太阳能电池材料GaAs和GaInP相比,InGaN材料具有非常优越的抗辐照性能.
关键词:
InGaN材料
,
辐照
,
电子浓度
,
PL光谱
孙丹丹
,
潘尚可
,
任国浩
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吴云涛
,
商珊珊
,
张国庆
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12735
针对Ce:Li6Lu(BO3)3晶体有效原子序数(zeff)高的问题,采用低原子序数的Y3+离子部分置换晶体中的Lu3+离子.通过固相合成法制备了Ce:Li6Lu1-xYx(BO3)3(0≤x≤1)固溶体.X射线粉末衍射(XRD)分析表明,该系列固溶体结构与Li6Gd(BO3)3晶体相同,空间群为P21/c.其X射线激发发射(XSL)的发光强度随着Y3+的含量增加而降低,当x=0.5时,固溶体的有效原子序数与Li6Gd(BO3)3闪烁体相当,但XSL发光强度是其1.4倍.Ce:Li6Lu0.5Y0.5(BO3)3的XSL光谱和PL光谱都在400 nm附近出现Ce3+离子的特征峰,可拟合出361和419 nm两个发光分量,分别对应于Ce3+离子的激发态电子的5d1→2F5/2和5d1→2F7/2能级跃迁.Ce:Li6Lu0.5Y0.5(BO3)3固溶体的衰减时间比Ce:Li6Lu(BO3)3略长,为19.6 ns.当x=0.50～0.70时,Ce:Li6Lu1-xYx(BO3)3(0≤x≤1)闪烁体比较适合作为中子探测材料.
关键词:
固相合成
,
Ce∶Li6LU1-xYx(BO3)3
,
X射线激发发射谱
,
PL光谱
,
衰减时间
任书霞
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籍凤秋
,
王建雷
,
张光磊
人工晶体学报
以球磨的B/BN混合物为原料,采用一步法在蘸有催化剂的硅片上合成了大量BN纳米刺包裹在Si纳米或微米线上的复合团簇结构.EDS和SAED表明外层的纳米刺是六方BN多晶,里面包裹的Si纳米或微米线则是立方的Si单晶.实验结果表明合成温度对BN/Si复合结构形成有重要影响,只有在1250 ℃以上的温度才会生成BN /Si复合团簇结构,另外只有当硅片与样品接触时才会形成复合产物.PL光谱显示复合产物在360 nm的激发下,其发光峰在303 nm(4.1 eV)和423 nm(2.93 eV)处.
关键词:
BN/Si复合团簇结构
,
一步法
,
PL光谱
