李元昕
,
刘梅冬
,
曾亦可
,
姜胜林
,
邓传益
材料导报
PST铁电薄膜是一种具有优良铁电、热释电和介电等性能的铁电材料.该材料在红外探测器、红外焦平面阵列、热成像器件、非易失性铁电存储器和大容量电容器等方面具有广泛的应用.PST铁电薄膜的制备方法多种多样,各具优缺点,不同的制备工艺对薄膜的性能有影响.叙述了PST铁电薄膜的制备技术、电性能和在热释电红外探测器方面的应用.
关键词:
PST薄膜
,
制备工艺
,
铁电性
,
热释电性
,
介电性
赵永林
,
杜丕一
,
翁文剑
,
韩高荣
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00466
用溶胶-凝胶法制备了(Pbx,Sr1-x)0.85Bi0.1TiO3薄膜, 对其晶相结构、微观形貌和介电可调性进行了研究. 结果表明, 该薄膜以钙钛矿形式存在. 快速热处理过程可分解得到高活性离子,直接形成比相应温度平衡状态析晶时更多的晶相量. 这种晶相在一定条件下有分解和再结晶的趋势. 随着Pb2+离子增加和Sr2+离子减少, 钙钛矿相的四方相与立方相间的转变温度升高. 薄膜处在铁电相和顺电相转变点附近时, 可以获得较大的可调性.
关键词:
PST薄膜
,
dielectric properties
,
sol-gel method
,
phase formation
郑赞
,
杜丕一
,
赵冉
,
翁文剑
,
韩高荣
稀有金属材料与工程
采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜.XRD结果表明:550℃和600℃不同热处理条件下烧结的薄膜均呈单一的钙钛矿相结构.在不同外加直流电场下测试Zn 掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可调性与热处理温度及过程的关系.发现550℃条件下制备得到的Zn掺杂PST薄膜几乎没有介电可调性,而在600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜具有明显的介电可调性.另外,600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜,其可调性随着保温时间和冷却时间的延长有所增加,介电损耗随保温时间和冷却时间的增大而减小.
关键词:
介电可调
,
PST薄膜
,
溶胶凝胶
,
Zn掺杂
,
制备方法
陈敬峰
,
杜丕一
,
覃莹
,
翁文剑
,
韩高荣
稀有金属材料与工程
利用固相烧结法制备的Mg掺杂Pb0.3Sr0.7(Ti1-xMgx)O3-x(PST)陶瓷为靶材,采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基板上成功制备了Mg掺杂PST薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阻抗分析仪分别测定PST薄膜的物相结构、表面形貌及介电性能.结果显示,薄膜具有良好的钙钛矿结构,无明显的择优取向生成,薄膜表面均匀致密.Mg的掺杂改善了PST薄膜电容值的频率特性,使其更加稳定.薄膜电容值随着掺杂含量的增加而降低,在Mg掺杂量x=0.05左右时达到相对最低值,随后略有升高,介电损耗也有类似现象.薄膜可调性受Mg掺杂量的增加而不断下降,总体下降约3倍,但介电损耗总体下降约达5倍.材料的优值在Mg掺杂量x=0.05时反而有所升高.
关键词:
PST薄膜
,
射频磁控溅射
,
Mg掺杂
,
介电性能
刘远良
,
杜丕一
,
翁文剑
,
韩高荣
,
沈鸽
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.01.023
采用sol-gel法,利用快速热处理工艺过程,保持烧结温度在最低温度(约500℃)以上,制备了多晶钙钛矿结构的PST(Pb0.4Sr0.6TiO3)薄膜.通过XRD、SEM、AFM等方法对晶相的形成与热处理条件之间的关系进行了测试.研究表明,利用溶胶-凝胶法制备PST薄膜的钙钛矿晶相形成过程及晶相含量受制备过程及晶相形成时离子的活性所控制.通过快速热处理方法,在凝胶分解过程中得到的高活性离子直接形成晶相,可以得到相应更多的晶体含量及在较低的温度下形成晶相.在600℃下RTP制备的PST薄膜的晶相含量比同温度下保温热处理薄膜增加约14%,利用RTP制备PST薄膜的晶相形成温度约在500℃,相应要降低约50℃.薄膜的表面形貌受制备热处理过程影响,快速热处理薄膜的表面保持形成时的形貌:非晶相薄膜以光洁表面出现,晶态膜以均匀分布山峰状的形貌出现..受气氛的浸蚀作用,长时间热处理后的薄膜表面出现了变化,在原形貌的基础上以细小颗粒状覆盖的表面出现.
关键词:
sol-gel
,
热处理
,
PST薄膜
,
晶相形成
赵永林
,
杜丕一
,
翁文剑
,
韩高荣
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.02.034
用溶胶-凝胶法制备了(Pbx,Sr1-x)0.85Bi0.1TiO3薄膜,对其晶相结构、微观形貌和介电可调性进行了研究.结果表明,该薄膜以钙钛矿形式存在.快速热处理过程可分解得到高活性离子,直接形成比相应温度平衡状态析晶时更多的晶相量.这种晶相在一定条件下有分解和再结晶的趋势.随着Pb2+离子增加和Sr2+离子减少,钙钛矿相的四方相与立方相间的转变温度升高.薄膜处在铁电相和顺电相转变点附近时,可以获得较大的可调性.
关键词:
PST薄膜
,
介电性能
,
溶胶-凝胶法
,
晶相形成
