李燕燕
,
李国荣
,
王天宝
,
郑嘹赢
,
冷森林
,
殷庆瑞
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00374
采用固相反应法制备了施主掺杂浓度不同的Nb2O5（分别为0.1mol%、 0.3mol%、 0.5mol%、 0.7mol%）掺杂(Ba, Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷. 对其微观结构及电性能进行研究发现：随着Nb2O5掺杂浓度的增加，陶瓷晶粒尺寸先变大后变小，室温电阻率也随之先减小后增大，说明Nb2O5的掺杂量存在一个临界施主掺杂浓度. 当Nb2O5施主掺杂量为临界施主掺杂浓度0.5mol%时，获得了居里温度Tc为 183℃、室温电阻率ρ为1.06×103Ω·cm、升阻比ρmax/ρmin为1.0×104的高温无铅PTCR陶瓷. 通过交流复阻抗谱分析，探讨了Nb2O5施主掺杂在该PTCR陶瓷中的作用机理.
关键词:
PTCR
,
lead-free
,
high curie temperature
,
(Bi1/2Na1/2) TiO3
齐建全
,
桂治轮
,
李龙土
功能材料
BaTiO3基陶瓷材料的PTCR效应与施受主掺杂密切相关.通过Bi2O3、Sb2O3等蒸汽掺杂,材料的PTCR效应可以得到提高.然而,蒸汽掺杂之后,PTCR效应提高的幅度在含受主Mn的材料中比纯施主掺共的材料中要大得多.这与Bi2O3蒸汽掺杂和Mn的协同作用密切相关.这种协同作用可能进一步形成三价Mn或中性钡缺位相关的更为稳定的复合缺陷,从而增大了电子捕获中心的浓度,使材料PTCR效应大幅度提高.
关键词:
BaTiO3
,
PTCR
,
Mr
,
蒸汽掺杂
陈勇
,
贺华
,
苏鹏
,
王文峰
,
张军
,
徐玲芳
,
熊娟
功能材料
针对多层片式PTCR用Ni内电极制作过程中Ni内电极易被氧化及电极与陶瓷之间易发生分层的问题,采用Ni电极浆料中加入添加量为10%(质量分数)BaTiO3粉、15%(质量分数)Cr粉且有机溶剂选用松油醇和邻苯二甲酸二丁酯、有机粘合剂选用松香,用此Ni电极作为多层片式PTCR的内电极能很好解决分层现象,同时Ni内电具有很强的抗氧化性能,从而达到制备性能良好的Ni内电极的目的.
关键词:
PTCR
,
Ni电极
,
BaTiO3
,
Cr
李海龙
,
杨德安
,
曲远方
,
丰红军
材料导报
通常在BaTiO3中固溶PbTiO3来提高BaTiO3系PTCR的居里温度,但是铅的毒性和挥发性限制了BaTiO3系PTCR的应用,因此需要研制出高居里点的无铅PTCR陶瓷.随着BNT、BKT含量增加,BaTiO3系PTCR的居里点升高,但同时室温电阻快速增大.若在提高居里点的同时抑制室温电阻率的增大,就能制备出有实用价值的无铅高居里点的PTC材料.综述了BNT、BKT的含量对居里温度的影响及其机理,通过加入还原剂或在还原气氛下烧结并制定合理的烧结制度可以得到低室温电阻率和性能较好的PTC材料.
关键词:
PTCR
,
居里温度
,
BNT
,
BKT
,
无铅
何小祥
,
吴传贵
,
张万里
功能材料
利用射频(RF)溅射在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)薄膜,制成Pt/BST/Pt平板电容,研究在正反偏压下BST薄膜漏电流的J-V和J-T特性.反偏压时,上电极Pt和BST薄膜形成肖特基接触,漏电流遵循肖特基发射机制.正偏压时,BST薄膜和下电极Pt界面存在大量的界面态,使得漏电流遵循空间电荷限制电流(SCLC)机制,漏电流密度随偏压的增加而急剧增加,随测试温度的增加而减小产生了PTCR效应.利用深陷阱空间电荷限制电流模型,解释了BST薄膜的PTCR效应受εr(T)和V(Tc/T)+1的共同作用,其中εr(T)的作用占优.
关键词:
PTCR
,
BST薄膜
,
陷阱填充限制电流
,
空间电荷限制电流
齐建全
,
李龙土
,
桂治轮
稀有金属材料与工程
通过B2O3蒸汽掺杂,钛酸钡晶胞膨胀,表明硼离子可以进入钛酸钡晶格中形成硼间隙.B2O3蒸汽掺杂使含Y钛酸钡陶瓷室温电阻率下降,升阻比提高.同样的烧结条件下,钛酸钡陶瓷的PTCR效应随B2O3蒸汽掺杂源的浓度升高而升高.硼间隙和/或相关缺陷络合物可以形成电子捕获中心,从而提高PTCR效应.
关键词:
BaTiO3
,
硼间隙
,
PTCR
,
蒸汽掺杂
陆裕东
,
王歆
,
庄志强
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.018
以可溶性无机盐为原料,柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为复合螯合剂,采用sol-gel工艺制备了Sb掺杂BaPbO3(BPO)陶瓷,讨论了不同的Sb施主掺杂浓度对BPO陶瓷的电导率和阻温特性的影响.实验结果表明:采用sol-gel法获得了均一相、化学计量比的Sb掺杂BPO陶瓷;当施主掺杂量≤1 mol%,Sb-BPO陶瓷的室温电阻率随Sb掺杂量的增加而升高,当施主掺杂量≥1mol%,室温电阻率随Sb掺杂量呈"U"形变化,掺杂量为12 mol%～13 mol%时室温电阻率最低,约为2.69×10-4 Ω·cm;BPO陶瓷引入施主杂质Sb后,不但可以降低材料的室温电阻率,而且可以使材料呈现出高温PTC效应,当掺杂量为5 mol%时,材料的升阻比最高,其居里温度Tc约为850 ℃.
关键词:
BaPbO3
,
sol-gel
,
陶瓷
,
施主掺杂
,
电阻率
,
PTCR
郑占申
,
曲远方
,
李晓雷
,
罗国政
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2006.05.008
采用传统固相法工艺,在BaTiO3基材料中加入金属Ni、金属Mn,制备PTCR陶瓷复合材料,以降低其室温电阻率.考查了金属Ni、金属Mn的加入量,以及后期热处理时间和温度对复合材料性能的影响.研究表明:在还原气氛中烧结(1250℃,保温20min),室温电阻率较低,但只有很弱的PTC效应,再通过适当的后期热处理工艺(空气气氛,780℃,保温60 min),PTC效应可得到部分恢复.最终获得了具有较低的室温电阻率(ρ25℃=10.2Ω·cm)和较高升阻比(ρmax/ρmin=1.42×103)的PTCR复合材料.
关键词:
PTCR
,
复合材料
,
BaTiO3
,
PTC效应
,
低电阻率
齐建全
,
李龙土
,
樊亦伟
,
王永力
,
桂治轮
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.04.018
通过B2O3蒸汽掺杂,Y-BaTiO3陶瓷的烧结温度大幅度降低.B2O3蒸汽掺杂后的样品,室温电阻率下降,升阻比提高.通过对氧化硼蒸汽掺杂样品的XRD分析研究表明,硼间隙可以在钛酸钡晶格中存在,硼间隙和/或相关缺陷络合物可以形成电子捕获中心,从而提高PTCR效应.
关键词:
B2O3
,
BaTiO3
,
PTCR
,
蒸汽掺杂
,
中低温烧结
李燕燕
,
李国荣
,
王天宝
,
郑嘹赢
,
冷森林
,
殷庆瑞
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00374
采用固相反应法制备了施主掺杂浓度不同的Nb2O5(分别为0.1mol%、 0.3mol%、 0.5mol%、 0.7mol%)掺杂(Ba, Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷. 对其微观结构及电性能进行研究发现:随着Nb2O5掺杂浓度的增加,陶瓷晶粒尺寸先变大后变小,室温电阻率也随之先减小后增大,说明Nb2O5的掺杂量存在一个临界施主掺杂浓度. 当Nb2O5施主掺杂量为临界施主掺杂浓度0.5mol%时,获得了居里温度Tc为 183℃、室温电阻率ρ为1.06×103Ω·cm、升阻比ρmax/ρmin为1.0×104的高温无铅PTCR陶瓷. 通过交流复阻抗谱分析,探讨了Nb2O5施主掺杂在该PTCR陶瓷中的作用机理.
关键词:
PTCR
,
无铅
,
高居里温度
,
Bi1/2Na1/2TiO3
