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人工合成PbWO4晶体的电子探针研究

张文兰 , 祁鸣 , 王汝成

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.04.010

人工合成的PbWO4晶体是新型的闪烁体材料,本工作仔细选择合适的工作条件,对PbWO4晶体进行了精确的电子探针定量分析,揭示了晶体生长过程中组元成分W和Pb的变化规律.本研究成果为改进晶体生长条件提供了依据.

关键词: PbWO4晶体 , 晶体生长 , 电子探针 , 测量条件 , PbO挥发 , 闪烁晶体

PZT薄膜反提拉生长的PbO挥发与退火条件研究

陈祝 , 杨成韬 , 王升 , 杨邦朝

功能材料

通过一新的溶胶-凝胶工艺:反提拉涂膜方法,在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备了PZT(Zr/Ti=52/48)铁电薄膜,并研究了退火工艺及其PbO的挥发对薄膜微结构、表面形貌、取向、及铁电性能的影响.本文首次提出并应用反提拉涂膜技术制备了PZT薄膜,此技术相对于传统的溶胶-凝胶工艺具有以下几方面的优点:操作控制简单方便、成本低、原料利用率高、无污染等.研究发现PZT薄膜通过增加PT晶种层后可以抑制PbO的挥发,同时薄膜呈现较强的(110)取向;在薄膜的退火处理过程中还发现氧气氛有助于降低PbO的挥发、促进晶粒的长大和降低钙钛矿的晶化温度,在氧气氛中退火的PZT薄膜显示了很好的铁电性能,其剩余极化强度明显增大而矫顽场只有极小的增加.

关键词: PZT , 溶胶-凝胶 , 反提拉涂膜 , PbO挥发 , 铁电薄膜

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