周凤玲
,
李效民
,
高相东
,
邱继军
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00778
以Pb(Ac)2、Na2SeSO3分别作为铅源和硒源, 采用化学浴法在玻璃衬底上沉积PbSe纳米晶薄膜. 采用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),原子力显微镜（AFM）,透射光谱以及在光脉冲下的电流时间曲线(i-t)对纳米薄膜材料结构和性能进行了表征. 结果表明, 薄膜的结晶质量随络合剂浓度升高而提高, 薄膜的光学吸收边从体材料的5μm蓝移至1μm左右, 经过退火处理薄膜吸收边红移. 退火处理引起薄膜电阻显著降低, i-t测试曲线表明经过较低氧压退火处理的纳米晶薄膜具有较快的光电导性能, 而在空气气氛中退火的薄膜则出现慢光电导性能.
关键词:
PbSe
,
infrared detector
,
chemical bath
,
nanocrystalline films
罗锦
,
朱亚波
,
殷大根
,
赫占军
稀有金属材料与工程
以复合盐为反应熔剂,Se粉和硝酸铅为原料,乙二胺为还原剂,在不使用任何有机分散剂和络合剂的情况下,在180℃下加热24 h制备了PbSe纳米晶.分别研究了不同去离子水量对纳米颗粒生长的影响及纳米颗粒的形成机理.最后,对它的电化学性能进行了研究.结果表明,通过调节去离子水含量和反应时间可以控制产物粒度,PbSe纳米颗粒的电化学活性可以通过调节电解质溶液的碱性进行改变.
关键词:
PbSe
,
复合盐
,
电化学
田野
,
刘大博
,
罗飞
,
祁洪飞
,
刘勇
,
成波
,
滕乐金
航空材料学报
doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2015.1.004
采用磁控溅射法制备PbSe薄膜,并用配制的腐蚀液进行不同时间的表面处理,从而得到不同表面形貌的薄膜结构.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对处理后的PbSe薄膜的表面形貌、晶体结构以及光学性能进行了表征,同时对薄膜的光电导性能进行测试.结果表明,薄膜经此工艺处理后,表面形成了一系列纳米陷光结构,并有着不同程度的氧化.不同腐蚀时间下,薄膜的光电导性能均有明显地提升,其中经3h腐蚀处理的薄膜的光电导性能提升最高.该方法无需进行后续热处理,是一种简单高效的敏化手段.
关键词:
PbSe
,
陷光结构
,
敏化改性
叶敏挺
,
李博
,
程成
材料导报
半导体量子点材料因具有尺寸效应和独特的光谱效应而受到人们的重视.因此,如何有效地制备符合需要的量子点已成为近年来研究的一个热点.对各种超声化学法制备PbS、PbSe进行探讨,介绍了其实验步骤,比较了其结果,讨论分析了超声波法制备量子点的优势和不足,并提出了一些在原有基础上可以改进的地方,最后展望了纳米材料的应用前景.
关键词:
超声化学法
,
PbS
,
PbSe
,
量子点
宋友林
,
李铁盘
,
马建新
,
李金铭
,
刘金海
,
贾瑜
功能材料
用第一性原理的密度泛函理论计算了PbSe(001)表面的几何结构和电子特性.计算结果表明:PbSe(001)表面几层原子出现明显的振荡弛豫现象,但没发生重构,第一、二原子间距减小,第二、三层原子间距增大,同时也发现表面层原子出现褶皱.该表面的直接带隙出现在X点,在导带底和价带顶附近出现4个表面共振态,另外两个表面态分别出现在-4.0eV附近和-11.5eV附近.
关键词:
密度泛函理论
,
表面几何结构
,
表面电子特性
,
PbSe
危兆玲
,
李天保
,
赵君芙
,
梁建
,
马淑芳
,
许并社
材料导报
PbX(X=S,Se)纳米结构材料因其良好的光电性能,在太阳能电池等方面有着较好的应用前景,目前已成为半导体领域的研究热点.概括和总结了几种制备PbX纳米材料的经典和新型方法,其中包括水热法、溶剂热法、化学气相沉积法、中孔材料模板法、熔盐籽晶法、纳米晶的取向附属物法和微波法等,并分析和讨论了各方法的特点及对应产物的特征.
关键词:
PbS
,
PbSe
,
制备方法
,
纳米结构
周凤玲
,
李效民
,
高相东
,
邱继军
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00778
以Pb(Ac)2、Na2SeSO3分别作为铅源和硒源,采用化学浴法在玻璃衬底上沉积PbSe纳米晶薄膜.采用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射光谱以及在光脉冲下的电流-时间曲线(i-t)对纳米薄膜材料结构和性能进行了表征.结果表明,薄膜的结晶质量随络合剂浓度升高而提高,薄膜的光学吸收边从体材料的5μm蓝移至1μm左右,经过退火处理薄膜吸收边红移.退火处理引起薄膜电阻显著降低,i-t测试曲线表明经过较低氧压退火处理的纳米晶薄膜具有较快的光电导性能,而在空气气氛中退火的薄膜则出现慢光电导性能.
关键词:
PbSe
,
红外探测器
,
化学浴
,
纳米晶薄膜
栾庆彬
,
皮孝东
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.001
以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料.近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注.利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔.着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用.
关键词:
薄膜晶体管
,
有源层
,
半导体
,
纳米晶体
,
硒化镉
,
碲化汞
,
硒化铅
,
锗
,
硅
