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LaNiO3缓冲层对Pb(Zr,Ti)O3铁电薄膜的影响

王根水 , 石富文 , 孙璟兰 , 孟祥建 , 戴宁 , 褚君浩

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.004

采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3(PZT/LNO)多层薄膜.X射线衍射测量表明LNO缓冲层的引入使PZT薄膜(111)择优取向度减小,(100)取向增加.原子力显微镜测量表明引入LNO缓冲层使得PZT薄膜表面更加平整、致密.在LNO缓冲层上制备的PZT薄膜具有优良的铁电特性和介电特性:LNO缓冲层厚度为40nm时,500 kV/cm的外加电场下,剩余极化(Pr)为37.6μC/cm2,矫顽电场(Ec)为65 kV/cm;100 kHz时,介电常数达到822,并且发现LNO缓冲层的厚度为40nm,PZT的铁电、介电特性改进最为显著.

关键词: LaNiO3 , PbZr0.4Ti0.6O3 , 铁电薄膜 , 剩余极化 , 介电特性

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