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Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较

毕大炜 , 张正选 , 张帅

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.014

本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验.结果表明加固工艺能有效提高SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代nMOS晶体管对SOI材料的抗总剂量辐射能力进行评估.

关键词: SIMOX , SOI , 总剂量辐射效应 , Pseudo-MOS晶体管