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基于Q-V Lissajous图形法的介质阻挡放电试验研究

冉冬立 , 蔡忆昔 , 王军 , 庄凤芝 , 王攀

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2009.04.017

为了解介质阻挡放电(DBD)在不同激励电压峰值VP-P和介质厚度ld下的放电特性,通过建立介质阻挡放电试验系统,采用Q-V Lissajous图形法研究了激励电压峰值VP-P、介质厚度ld对DBD主要放电参量的影响.研究表明:增大激励电压峰值VP-P、减小介质厚度ld可提高放电功率P、单周期电荷传输量Q、气隙有效电场强度Eg和气隙折合电场强度E/n.固定介质厚度ld,增大激励电压峰值VP-P,介质等效电容Cd增大,气隙等效电容Cg减小,但放电熄灭阶段总电容C变化不明显.固定激励电压峰值VP-P,增大介质厚度ld,放电熄灭阶段总电容C和介质等效电容Cd减小,气隙等效电容Cg增大.

关键词: 低温等离子体 , 介质阻挡放电 , Q-V Lissjous图形法 , 介质厚度