郑勇平
,
陈志高
,
卢宇
,
黄志高
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.014
理论上对ZnO能带的计算一般采用局域密度近似(LDA),而该方法得到的带隙结果却被严重的低估了.在本文中,我们在密度泛函理论的LDA近似的框架下,通过第一性原理GW近似(GWA)对ZnO的能带进行了修正.在LDA和GWA计算中,将Zn3d电子作为价电子,LDA结果表明ZnO是一种直接带隙半导体,同时讨论了LDA和GWA计算得到的能带之间的差异.
关键词:
ZnO
,
准粒子能带结构
,
GW
,
第一性原理
