齐磊
,
王国祥
,
李双
,
沈祥
,
徐培鹏
,
李军
,
吕业刚
,
戴世勋
,
聂秋华
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.04.004
采用磁控溅射法制备了Ge15 Ga10 Te75薄膜,研究溅射工艺对薄膜结构与性能的影响,并分析了在不同热处理温度(200~280℃)退火后薄膜光学特性的变化。通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪、显微拉曼光谱仪、分光光度计等测试手段对热处理前后薄膜样品的微观结构和光学特性进行了表征,结果表明,3次不同工艺下制备的沉积态薄膜组分与靶材偏差较小,且均是非晶态。沉积态薄膜的短波截止波长均在1μm 左右；当退火温度(Ta)大于薄膜的玻璃转化温度(Tg)时,薄膜的光学带隙(Egopt)随着退火温度的增加而逐渐减小,沉积态薄膜的光学带隙分别为1．05,1．06和1．07 eV,而在280℃退火后薄膜光学带隙分别降至0．38,0．42和0．45 eV,以上3次实验结果表明,不同工艺下制备的Ge15 Ga10 Te75薄膜组分均匀可控,热学和光学参数较一致。
关键词:
Ge15 Ga10 Te75
,
磁控溅射
,
XRD
,
SEM
,
透过光谱
,
Raman光谱
,
光学带隙
张明伟
,
辛乐
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.06.026
采用传统的固相反应法制备得到MgO 掺杂Ba0．55 Sr0．45 TiO3陶瓷,并对其相结构、微结构以及介电性能进行了系统的研究.随着Mg O 含量的增加,陶瓷样品的居里峰被明显的抑制和展宽,同时居里温度向低温方向移动,表明一定量的Mg2＋进入BST晶格.探明了当加入少量MgO 时导致在微波频段损耗因子增加的原因；而随着Mg O 含量的进一步增加,微波频段的介电损耗降低主要是由于介电相Mg O 的“复合”作用.结合拉曼光谱明显地观察到Mg2＋进入BST晶格破坏材料的微波性能,这来源于Mg2＋破坏了钙钛矿结构中B位有序度.在钙钛矿结构中,Q值强烈的依赖于A1(TO)延展模式的拉曼峰宽.同时,氧八面体对材料微波性能的影响起到了非常重要的作用.
关键词:
功能陶瓷
,
介电性能
,
微波可调
,
掺杂
,
复合
,
拉曼光谱
