杨宇
,
陈刚
,
邓书康
,
高立刚
,
刘焕林
,
吴国元
,
俞帆
,
陈长青
,
陈亮
,
郝瑞亭
功能材料
研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明:Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果.
关键词:
Si/Ge多层膜
,
离子束外延
,
XRD
,
Raman散射
张春光
,
卞留芳
,
陈维德
中国稀土学报
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和离子注入的方法制备了掺铕 GaN薄膜. 利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动,从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况. 结果表明,Eu离子注入剂量越大,对晶格的损伤越严重;Eu离子注入的能量越高,对晶格的损伤也越严重;采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤. 离子注入后进行高温退火,可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢复,而N空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多. 不同几何配置的Raman谱研究表明,1000 ℃的高温退火导致了GaN的分解.
关键词:
GaN
,
Eu
,
金属有机物化学气相沉积
,
Raman散射
,
铕
,
稀土
白海力
,
姜恩永
,
吴萍
,
王怡
,
王存达
金属学报
用Ｒａｍａｎ散射研究了对向靶反应溅射制备的ＣＮ薄膜的键结构, 研究表明, 在Ｃ膜中掺杂Ｎ可以抑制ＣＮ膜中ｓｐ＾３键的形成, 提高ｓｐ＾２键的相对含量, 改善Ｃ膜的结构热稳定性.
关键词:
Raman散射
,
null
,
null
,
null
洪光烈
,
张寅超
,
赵曰峰
,
邵石生
,
谭锟
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.03.017
研究和设计了探测大气CO2浓度的Raman激光雷达,其发射机采用Nd:YAG激光的三倍频354.7 nm作为工作波长,发射的单脉冲能量60 mJ,重复频率20 Hz;接收机采用了光电倍增管(量子效率25%)和光子计数器(计数速率200MHz),探测CO2的Raman散射371.66 nm(频移1285 cm-1)信号,采用组合滤光片来抑制强的354.7 nm Mie-Rayleigh后向散射和氧气Raman后向散射375.4 nm对信号的严重干扰.主要采取排除法,检验其他波段的辐射是否被截止,实验证明回波主要是371.66 nm辐射.O2的干扰大约为CO2信号的1%.
关键词:
大气光学
,
激光雷达
,
Raman散射
,
干扰
黄银松
,
章俞之
,
宋力昕
,
胡行方
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.030
通过工艺参数的优化,采用直流反应溅射工艺成功地制备了具有良好的电化学循环稳定性的多晶氧化钨薄膜.Raman散射光谱研究表明:随着锂离子和电子的共同注入,多晶薄膜中的W6+逐渐被还原为W5+.红外反射测试表明:电子注入薄膜后,成为自由载流子,使得氧化钨薄膜表现出一定的金属特性,具有一定的红外反射调制能力.采用该工艺制备的WO3/ITO/Glass结构的发射率可在0.261～0.589的范围内可逆调节.
关键词:
直流反应溅射
,
多晶氧化钨薄膜
,
Raman散射
,
红外反射
,
发射率
