陈多金
,
雷天民
,
卢刚
稀有金属材料与工程
采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,分别用含有Se2-,Bi3+和Sb3+的离子溶液作为独立的阴、阳离子前驱溶液,以载玻片为衬底,在室温下沉积出致密且具有镜面金属光泽的Bi2Se3-Sb2Se3薄膜材料.为了改善薄膜样品的结晶状态,对其进行了退火处理.用AFM观察了薄膜样品的表面形貌,用XRD分析了退火前后薄膜样品的结晶状态.结果表明:薄膜样品经200℃较低温度下退火处理4 h以后,薄膜的结晶状态由无定形态转化为多晶态,其平均晶粒尺寸为30 nm～40 nm.
关键词:
SILAR法
,
Bi2Se3-Sb2Se3
,
薄膜
,
表征
陈多金
,
雷天民
,
卢刚
稀有金属材料与工程
采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,分别用含有Se2-,Bi3+和Sb3+的离子溶液作为独立的阴、阳离子前驱溶液,以载玻片为衬底,在室温下沉积出致密且具有镜面金属光泽的Bi2Se3-Sb2Se3薄膜材料.为了改善薄膜样品的结晶状态,对其进行了退火处理.用AFM观察了薄膜样品的表面形貌,用XRD分析了退火前后薄膜样品的结晶状态.结果表明:薄膜样品经200℃较低温度下退火处理4 h以后,薄膜的结晶状态由无定形态转化为多晶态,其平均晶粒尺寸为30 nm～40 nm.
关键词:
SILAR法
,
Bi2Se3-Sb2Se3
,
薄膜
,
表征
刘晓新
,
靳正国
,
步绍静
,
赵娟
,
程志捷
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.042
采用液相薄膜制备工艺-SILAR(连续离子层吸附反应)法,在室温下于玻璃衬底上制备了CdS薄膜.对薄膜的表面形貌,薄膜的生长速率以及热处理与薄膜的成相及其电阻率的关系进行了观察和分析.实验结果表明:薄膜表面较致密,生长速率为2nm/cycle,随循环次数的增加,沉积粒子的尺寸趋于增大.室温下沉积的CdS薄膜为非晶态,经热处理后薄膜的结晶度提高,电阻率显著下降.此外,文章结合实验对薄膜的生长机理进行了初步的讨论.
关键词:
CdS薄膜
,
SILAR法
,
制备与表征
,
生长机理
原子核物理评论
采用一种改进的液相成膜技术--连续离子层吸附与反应(SILAR)法,用锌氨络离子[Zn(NH_3)_4]~(2+)溶液作为独立的前驱体溶液,以载玻片为衬底,在(125±5)℃的温度下沉积出致密、透明的ZnO薄膜.分别用冷场发射型扫描电镜(FESEM)和X射线衍射(XRD)分析了薄膜样品的表面形貌和结晶状态,用紫外-可见分光光度计(UV-Vis spectroscopy)研究了薄膜样品的发光性能.结果表明:获得样品为六角纤锌矿结构的多晶薄膜材料沿[002]方向择优生长;样品表面均匀、致密,厚度约为550 nm;在可见光波段具有高的透射率(＞80%).
关键词:
SILAR法
,
ZnO
,
薄膜
,
表征
靳正国
,
刘晓新
,
步绍静
,
程志捷
材料导报
介绍了一种新的液相法薄膜制备工艺-SILAR法(连续离子层吸附反应法),该方法设备简单,成本低廉,成膜质量好.解释了它的非均相薄膜生长机理,对它的工艺参数影响以及研究应用情况进行了综合评述.指出了研究发展前景.
关键词:
SILAR法
,
无机化合物
,
薄膜制备
