张帅
,
张正选
,
毕大炜
,
陈明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.009
介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响.研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于1200nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层硅膜上制得的器件的性能,引起NMOSFET的阈值电压升高、载流子迁移率降低.Pseudo-MOSFET方法能够在晶圆水平上快捷有效地表征超薄SIMOX材料的电学性质.
关键词:
SOI
,
SIMOX
,
Pseudo-MOSFET
,
隐埋氧化层
于伟东
,
王曦
,
陈静
,
张苗
功能材料
注氧隔离法(SIMOX)和体硅智能剥离法(smart-cut)是目前制备绝缘体上的硅(SOI)材料的最重要的两种方法.而离子注入是其中最主要工艺过程.本文简述了等离子体基离子注入(PBII)在制备SOI的两种方法中应用的国内外研究现状.讨论了两种方法中需要考虑的共性问题,包括注入剂量的均匀性、等离子体中离子的选择、单一能量的获得以及避免C、N、O及金属粒子的污染等.并且针对SIMOX和smart-cut各自的工艺特点,分别讨论了不同工艺参数的选择、工艺中出现的主要问题和一些已经得到的解决办法.
关键词:
SOI材料
,
PBII
,
SIMOX
,
Smart-Cut
夏庆锋
,
杨德仁
,
马向阳
,
阙端麟
材料导报
简述了利用注氧隔离法(SIMOX)制备的SOI材料中产生的一些不同于体硅材料的特殊缺陷,涉及表面缺陷、Si/SiO2界面缺陷和埋氧层缺陷,包括这些缺陷的产生机制、表征方法以及一些降低和消除措施.
关键词:
缺陷
,
SOI材料
,
表征
,
SIMOX
郑望
,
陈猛
,
陈静
,
林梓鑫
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.023
用 Secco法、 Cu-plating法分别表征了低剂量 SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度 . 结果显示 , 低剂量 SIMOX圆片的顶层硅缺陷密度低 , 但埋层质量稍差 . 通过注入工艺和退火过 程的进一步优化 , 低剂量 SIMOX将是一种有前途的 SOI材料制备工艺 .
关键词:
SOI
,
SIMOX
,
Secco
,
Cu-plating
,
线缺陷
杨慧
,
张正选
,
张恩霞
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.008
为了缩短SOI材料的改性研究周期,利用pseudo-MOS方法研究了SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应.试验采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料,通过对比改性前后样品在辐照前后的pseudo-MOSFET ID-VG特性曲线,分析改性工艺的影响.研究结果表明,合适的改性工艺能有效提高材料抗总剂量辐照效应的能力,pseudo-MOS方法在大大缩短SOI材料改性周期的基础上,能准确、快捷地对材料的总剂量辐照效应进行表征.
关键词:
SIMOX
,
SOI
,
总剂量辐照效应
,
Pseudo-MOS
