薛忠营
,
张波
,
魏星
,
张苗
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.005
采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态.通过与Si上外延渐变缓冲层制备的SiGe材料比较发现,使用这种超薄的全应变SiGe叠层材料来制备SGOI,可以大大缩短制备周期,降低制备成本.
关键词:
外延
,
应变
,
锗硅
,
SOGI
