俞文杰
,
张正选
,
张恩霞
,
钱聪
,
贺威
,
田浩
,
陈明
,
王茹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.008
通过实验研究了部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐射效应与辐射时的偏置状态的关系,实验结果表明TG(Transition Gate)是最恶劣的偏置状态.随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度与空穴俘获率.模拟结果合理地解释了实验结果,掩埋氧化层中的高电场和高空穴俘获率是TG为最恶劣偏置状态的主要原因.
关键词:
SOI
,
总剂量辐射
,
背沟道
,
掩埋氧化层
王宁娟
,
刘忠立
,
李宁
,
张国强
,
于芳
,
郑中山
,
李国花
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.004
本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别是对大剂量辐射的加固更为明显.总体来说,在此能量下,离子注入剂量越大,加固越好.由于注入的剂量对片子本身的阈值电压有很大影响,所以选择对于器件初始特性影响较小的剂量及能量非常重要.
关键词:
SOI
,
MOSFET
,
辐射加固
,
离子注入
张帅
,
张正选
,
毕大炜
,
陈明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.009
介绍了一种表征SOI材料电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响.研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于1200nm的超薄SIMOX材料,其顶层硅与BOX层界面有更多的缺陷,会影响到在顶层硅膜上制得的器件的性能,引起NMOSFET的阈值电压升高、载流子迁移率降低.Pseudo-MOSFET方法能够在晶圆水平上快捷有效地表征超薄SIMOX材料的电学性质.
关键词:
SOI
,
SIMOX
,
Pseudo-MOSFET
,
隐埋氧化层
何大伟
,
程新红
,
王中健
,
徐大朋
,
宋朝瑞
,
俞跃辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.004
本文采用反转胶lift-off工艺,对比分析了金属淀积方式、光刻胶的选择及光刻胶烘干时间对金属剥离效果的影响,制备出最小线宽4μm,最小间距4μm,厚度为1μm,线宽误差小于0.5μm的金属线条,并最终实现具有三层金属的堆栈电感,经光学显微镜和台阶仪观测表明,器件外观良好成品率高.
关键词:
堆栈电感
,
lift-off
,
金属剥离
,
反转胶
,
SOI
常敬先
,
李海蓉
,
马国富
,
王鹏
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅰ).037
在SOI基上制备光电纳米器件具有良好的光电集成应用前景,通过铜膜生长法在 SOI 基上制备了形貌为类针状的 Cu(OH)2前驱体纳米线,并采用热处理法600℃条件下成功制备了 CuO 纳米线。通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X 射线衍射测试(XRD)对样品结构、形貌进行了表征。 SEM、TEM测试结果表明,Cu(OH)2前驱体纳米线结构一致,尺寸均匀,表面光滑。在 Cu(OH)2前驱体纳米线上二次生长的CuO 纳米线具有类蒲草状细长光滑的结构, CuO纳米线直径约为80~100 nm,长度约为10μm, CuO 纳米线结晶性良好。
关键词:
SOI
,
铜膜生长法
,
前驱体
,
热处理
,
CuO 纳米线
门传玲
,
徐政
,
安正华
,
张苗
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.001
采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜.以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足键合需要.利用智能剥离技术(Smart-cutprocess)成功地制备了以AlN薄膜为埋层的SOI(silicon-on-insulator)材料.剖面透射电镜照片(XTEM)给出了此SOI结构,高分辨TEM实验结果表明上层硅具有与衬底硅相似的结晶质量可满足器件制造的要求.
关键词:
AlN薄膜
,
键合
,
SOI
,
离子束增强沉积
杨媛
,
高勇
,
巩鹏亮
,
刘静
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.004
在300-600K温度范围内分析并模拟了栅长为100nm的SOI(Silicon On Insulator)和SOAN(Silicon On Aluminum Nitride)MOSFETs的输出特性和有源区温度分布,得出了SOAN器件更适合高温应用的结论;针对高温应用环境,对SOAN器件结构参数及工艺参数进行优化,得出了各个参数的优化值,并使用优化后参数仿真CMOS反相器的瞬态特性,结果显示在环境温度为300K和500K时,SOAN CMOS门极延迟分别为19ps、25.5ps;而SOI CMOS的门极延迟在相同的温度下分别为28.5ps、35.5ps.
关键词:
高温
,
SOAN
,
SOI
,
结构优化
余金中
,
严清峰
,
夏金松
,
王小龙
,
王启明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.001
SOI (Silicon- on- Insulator) 光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与 CMOS 工艺完全兼容,可以实现低成本的 SOI基整片集成光电子回路.本文综述了近几年来 SOI集成光 电子器件的发展以及一些最新的研究进展 , 着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构, 包括 SOI光波导、 SOI光波导耦合器、 SOI光波导开关、相位阵列波导光栅( PAWG)、基于 SOI的光 探测器等,并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展.
关键词:
SOI
,
光电子集成电路
,
光波导
,
SOI光波导开关
,
阵列波导光栅
,
SOI基光探测器
