林青
,
谢欣云
,
朱鸣
,
张苗
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.024
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等.结合SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展.
关键词:
自加热效应
,
沟道电流
,
跨导畸变
,
负微分迁移率
,
SOI新结构
