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Au与p-CZT晶体的接触特性及其CZT表面处理状态的影响

李强 , 介万奇 , 傅莉 , 汪晓芹 , 查钢强 , 杨戈

功能材料

对不同腐蚀、钝化表面处理的CZT晶片与Au接触的I-V特性进行了研究.用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分,发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3.1nm的TeO2氧化层.用Agilent 4339B高阻仪进行未腐蚀、腐蚀与腐蚀钝化的CZT晶片I-V特性测试,结果表明腐蚀和腐蚀钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,相应地减小了漏电流.

关键词: Schottky接触 , 钝化 , I-V特性