杨宇
,
陈刚
,
邓书康
,
高立刚
,
刘焕林
,
吴国元
,
俞帆
,
陈长青
,
陈亮
,
郝瑞亭
功能材料
研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明:Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果.
关键词:
Si/Ge多层膜
,
离子束外延
,
XRD
,
Raman散射
陈寒娴
,
杨瑞东
,
王茺
,
邓荣斌
,
孔令德
,
杨宇
功能材料
采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品.利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光(PL)对样品进行表征.结果表明,2.0~2.3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的;1.77~1.84eV之间的发光带来自薄膜中的非晶结构和晶粒间的缺陷;1.53eV发光峰则可能源于纳米Ge晶粒发光.
关键词:
Si/Ge多层膜
,
可见光致发光
,
离子束溅射
邓书康
,
陈刚
,
高立刚
,
陈亮
,
俞帆
,
刘焕林
,
杨宇
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.020
采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征.结果表明,所制备的Si/Ge多层膜中,当Ge子层的厚度为6.2nm时,Si子层的结晶质量较好,表明适量的Ge含量有诱导Si结晶的作用.
关键词:
Si/Ge多层膜
,
离子束溅射
,
拉曼光谱