张玉娣
,
张长瑞
,
李俊生
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2004.10.007
采用新的泥浆预涂层-反应烧结工艺在C/SiC复合材料表面制备Si/SiC致密涂层,重点研究了原材料、工艺条件对涂层性能的影响;采用XRD分析涂层的组分及晶体结构,采用SEM分析涂层的断口形貌.结果显示,采用MC为胶粘剂、较低的裂解升温速度制备的预涂层性能最好;无Si气氛存在直接高温烧结制备涂层性能差,而在真空环境下、1450～1600℃温度范围高温烧结能够制备出致密的Si/SiC涂层,Si气氛的大量存在是决定涂层性能的关键.
关键词:
C/SiC陶瓷基复合材料
,
预涂层
,
反应烧结
,
Si/SiC涂层
宋盛星
,
殷杰
,
朱云洲
,
黄毅华
,
刘学建
,
黄政仁
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160275
本研究提出一种C?SiC复合材料表面改性新方法为水基浆料涂覆结合原位反应烧结工艺.系统研究了SiC和炭黑在水基浆料中的共分散、粘结剂的量和浆料固含量对浆料流变性能的影响、涂层的微观结构和性能等.研究结果表明:采用水基浆料涂覆工艺可在基材表面制备一层气孔率达49％的多孔C/SiC预涂层;通过液相渗硅原位反应工艺,多孔预涂层转变为高致密、与基材强结合的光学涂层,并且在涂层与基材间形成了～15μm的化学反应过渡层;Si/SiC涂层的维氏硬度为(14.19±0.46) GPa,断裂韧性为(3.02±0.30) MPa·m1/2;经过精细研磨抛光,涂层的表面粗糙度可达2.97 nm RMS.
关键词:
Si/SiC涂层
,
Cf/SiC
,
水基浆料涂覆
,
反应烧结
李俊生
,
张长瑞
,
曹英斌
,
张玉娣
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2006.06.024
采用泥浆预涂层反应法在C/SiC复合材料表面制备Si/SiC涂层.通过理论计算和实验确定了制备致密不开裂涂层的泥浆配比; 研究了埋粉烧结和气相硅真空反应烧结2种不同烧结气氛对Si/SiC涂层微观形貌和成分的影响; 比较了单涂层和双涂层2种不同涂层制备方法对C/SiC复合材料基底结构的影响; 用SEM观察涂层形貌,用XRD分析涂层成分与晶体结构.结果表明: 泥浆中C:Si(质量比)在1∶1.25左右制备的涂层不开裂; 埋粉烧结制备的涂层成粉,而气相硅真空反应烧结制备的涂层致密且与基底结合好; 单涂层法制备涂层后基底材料致密度高,而双涂层法制备涂层后基底仍然保持多孔结构.
关键词:
Si/SiC涂层
,
埋粉烧结
,
真空反应烧结
