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原词结果 | 译词结果

Si(100)衬底上制备液氮温区超导薄膜

胡倾宇 , 赵航炜 , 闻立时 , 王永忠 , 乔桂文

金属学报

本文报道用离子束溅射法在单晶Si(100)衬底上沉积YBaCuO超导薄膜的实验结果。Y稳定ZrO_2层作为衬底和超导膜的中间层,具有良好的扩散阻止效果。薄膜具有强烈的c轴织构,其化学组成接近123相。薄膜的超导起始转变温度为100K,零电阻温度为78K。

关键词: 超导 , thin film , Si substrate

PREPARATION OF LN_2 TEMPERATURE REGION SUPERCONDUCTOR FILM ON Si(100) SUBSTRATE

HU Qingyu ZHAO Hangwei WEN Lishi WANG Yongzhong QIAO Guiwen Institute of Metal Research , Academia Sinica , Shenyang , China

金属学报(英文版)

Expermental results of the preparation of YBaCuO superconductor thin film on Si(100) substrate by the method of ion beam sputtering deposition is presented.A ZrO_2 buffer layer was applied to Si(100)substrate,and was found to play an important role in resisting the diffusion of Si toward the film.The thin film is mainly a 123 phase with strong c-axis prefer- red orientation.The onset transition temperature of the film is 100 K and the final transition temperature 78 K.

关键词: superconductor , null , null , null

Si和6H-SiC衬底上β-FeSi2薄膜的制备

宁耀斌 , 蒲红斌 , 陈春兰 , 李虹 , 李留臣

人工晶体学报

以6H-SiC (0001) Si面和Si(100)为衬底,采用磁控溅射Fe-Si合金靶和Si靶两靶共溅射的方法,并经过后续的快速退火成功制备了β-FeSi2薄膜.通过X射线衍射(XRD)、拉曼(RAMAN)和电子扫描电镜(SEM)研究了不同衬底对薄膜生长过程的影响.结果表明:与Si衬底不同,6H-SiC为衬底所生长的FeSix薄膜与衬底之间很难产生相互扩散,导致薄膜中的Si原子主要来源于靶材.同时分析不同退火温度对6H-SiC衬底和Si衬底上的FeSix薄膜的影响,并相比较.结果表明:不同衬底Si(100)和6H-SiC (0001) Si面所生长的薄膜经900℃退火时皆完全转化为多晶β-FeSi2相,其择优取向皆为(220)/(202),且随温度从500℃到900℃的不断上升,(220)/(202)衍射峰的强度增强,半高宽变小,得到900℃下的半高宽为0.33°.

关键词: β-FeSi2薄膜 , 6H-SiC衬底 , Si衬底 , 磁控溅射

基于两步法阳极氧化的TiO2纳米管阵列制备研究

张君慧 , 郭丽芳 , 赵清华 , 张文栋 , 李大维 , 李刚 , 孙伟

稀有金属材料与工程

采用低浓度的无机溶剂HF溶液(0.05％,质量分数)对溅射在硅基底上的400 nm钛薄膜进行阳极氧化制备TiO2纳米管阵列,并利用SEM对制备出的TiO2纳米管阵列进行表征.实验结果表明,通过优化阳极氧化电压幅值、电压施加方式和氧化时间,均可有效控制纳米管阵列的尺寸和形貌.首先施加0.5V的低电压28 min,在低浓度的HF溶液中阳极氧化钛薄膜制备TiO2纳米管阵列,其管径可达120 nm左右.在此基础上,对电压施加方式进行改进,提出两步法施加电压方式,并优化氧化时间,在硅基底钛薄膜上制备出管径为100 ～ 270 nm结构紧密有序的TiO2纳米管阵列,明显优于钛薄膜在有机电解液中氧化制备的管径为70～100 nm的TiO2纳米管阵列.

关键词: 硅基底 , 阳极氧化 , TiO2纳米管阵列

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