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离子束沉积技术室温生长Si/Ge薄膜的晶化研究

杨宇 , 陈刚 , 邓书康 , 高立刚 , 刘焕林 , 吴国元 , 俞帆 , 陈长青 , 陈亮 , 郝瑞亭

功能材料

研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明:Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果.

关键词: Si/Ge多层膜 , 离子束外延 , XRD , Raman散射

离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究

刘焕林 , 郝瑞亭 , 杨宇

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.017

采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si/Ge多层膜.通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si/Ge多层膜样品.通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析(AFM)等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系.在小束流(10mA)、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si/Ge多层膜.通过红外吸收谱的测量发现薄膜样品具有较好的红外吸收性能.

关键词: Si/Ge多层膜 , 离子束溅射 , 红外探测材料

溅射Si/Ge多层膜及其发光誊性研究

陈寒娴 , 杨瑞东 , 王茺 , 邓荣斌 , 孔令德 , 杨宇

功能材料

采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品.利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光(PL)对样品进行表征.结果表明,2.0～2.3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的;1.77～1.84eV之间的发光带来自薄膜中的非晶结构和晶粒间的缺陷;1.53eV发光峰则可能源于纳米Ge晶粒发光.

关键词: Si/Ge多层膜 , 可见光致发光 , 离子束溅射

离子束溅射制备Si/Ge多层膜的结晶研究

邓书康 , 陈刚 , 高立刚 , 陈亮 , 俞帆 , 刘焕林 , 杨宇

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.020

采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征.结果表明,所制备的Si/Ge多层膜中,当Ge子层的厚度为6.2nm时,Si子层的结晶质量较好,表明适量的Ge含量有诱导Si结晶的作用.

关键词: Si/Ge多层膜 , 离子束溅射 , 拉曼光谱

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