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胡英 , 周晓华 , 徐毓龙 , 赵祖军
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.011
从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1－ xGex HEMT结构的设计原理及方法，对 Ismail器件进行了分析和计算，所得二维电子气 (2DEG)的 ns与实验结果基本相符，并利用该设计 理论对 Ismail器件的异质结结构进行了优化改进，提高了器件 2DEG的 ns。
关键词: Si/Si1－xGexHEMT , 半导体异质结 , 晶格匹配 , 能带阶跃 , 结构设计 , 二维电子气密度
