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Au/(Si/SiO2)/p型Si结构的可见电致发光研究

马书懿 , 王印月 , 刘雪芹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.014

Si/SiO2薄膜采用射频磁控溅射技术制备,当正向偏压大于5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au/(Si/SiO2 )/p-Si 结构在室温下的可见电致发光,其发光谱峰位均位于660nm处,测得的各种偏压下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动.实验结果表明光发射主要来自于SiO2层中的发光中心上的复合发光.

关键词: Si/SiO2薄膜 , 电致发光 , 发光中心