李志兵
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王荣华
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韩平
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李向阳
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龚海梅
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施毅
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张荣
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.018
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0.40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜,研究了生长温度等工艺参数的影响.结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在.C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量.组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4、C2H4反应而生成的Si1-x-yGexCy外延层和由Si1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.
关键词:
金属材料
,
Si1-x-yGexCy合金薄膜
,
化学气相淀积(CVD)
