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溅射气压和衬底温度对Si_(1-x)Ge_x薄膜结构和光吸收性能的影响

刘亚妮 , 余乐 , 李子全 , 刘劲松 , 曹安 , 蒋维娜 , 刘建宁

机械工程材料

采用射频磁控溅射法沉积了Si1-xGex薄膜,研究了溅射气压、衬底温度对薄膜结构、厚度、表面形貌、表面成分及光吸收性能的影响。结果表明:薄膜均为微晶结构且相组成不随溅射气压和衬底温度的改变而改变;随着溅射气压升高,薄膜结晶性能降低,升高衬底温度使其结晶性能提高;随气压或温度的升高,薄膜厚度均先增大后减小,在1.0Pa或400℃达到最大值;随温度的升高,薄膜表面团簇现象消失并变得平整致密,气压为8.0Pa时,表面有孔洞和沟道;随气压升高,薄膜中锗含量降低,光吸收强度减小,光学带隙增大;衬底温度的变化对光学带隙影响不大。

关键词: Si1-xGex薄膜 , 溅射气压 , 衬底温度 , 光吸收强度

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